ZHCSZ22A October 2025 – December 2025 LM5066H
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
選擇功率限制和故障計時器后,在所有測試條件下檢查 FET 是否保持在其 SOA 范圍內(nèi)至關(guān)重要。發(fā)生熱短路期間,斷路器跳閘,LM5066H1 會重啟并進(jìn)入功率限制模式,直至定時器計時結(jié)束。在最壞的情況下,MOSFET 的 VDS 等于 VIN, MAX、IDS 等于 PLIM / VIN, MAX,應(yīng)力事件持續(xù) tflt。在本設(shè)計示例中,MOSFET 需承受 60V 電壓、4.5A 電流,持續(xù)時間為 1ms。
根據(jù) PSMN2R3-100SSE 的 SOA,它可以在 25°C 環(huán)境溫度下處理 60V 電壓、30A 電流,并持續(xù) 1ms。
請注意,MOSFET 的 SOA 是在 25°C 外殼溫度下指定的,而熱短路期間外殼溫度會高得多。SOA 應(yīng)根據(jù) TC,MAX,使用以下 方程式 22 進(jìn)行降額計算:
根據(jù)此計算,在 118°C 管殼溫度升高的情況下,MOSFET 可以處理 11.4A 電流、60V 電壓并持續(xù) 1ms,但在熱短路期間只需要處理 4.5A 電流。因此,存在充足的裕度,魯棒性良好。通常,德州儀器 (TI) 建議 MOSFET 的額定承受能力應(yīng)比熱短路期間的實(shí)際需求高出 1.3 倍。這提供了裕度來考慮功率限制和故障時間的變化。