ZHCSZ22A October 2025 – December 2025 LM5066H
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3 特性說明
- 7.4 器件功能模式
- 7.5
編程
- 7.5.1 PMBus 命令支持
- 7.5.2
PMBus 命令的詳細說明
- 7.5.2.1 操作（01h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.2 CLEAR_FAULTS（03h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.3 WRITE_PROTECT（10h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.4 RESTORE_FACTORY_DEFAULTS（12h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.5 STORE_USER_ALL（15h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.6 RESTORE_USER_ALL（16h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.7 CAPABILITY（19h，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.8 VOUT_UV_WARN_LIMIT（43h，讀取/寫入字）
- 7.5.2.9 OT_FAULT_LIMIT（4Fh，讀取/寫入字）
- 7.5.2.10 OT_WARN_LIMIT（51h，讀取/寫入字）
- 7.5.2.11 VIN_OV_WARN_LIMIT（57h，讀取/寫入字）
- 7.5.2.12 IIN_OC_WARN_LIMIT（5Dh，讀取/寫入字）
- 7.5.2.13 STATUS_BYTE（78h，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.14 STATUS_WORD（79h，讀取字）
- 7.5.2.15 STATUS_VOUT（7Ah，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.16 STATUS_INPUT（7Ch，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.17 STATUS_TEMPERATURE（7Dh，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.18 STATUS_CML（7Eh，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.19 STATUS_OTHER（7Fh，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.20 STATUS_MFR_SPECIFIC (80h)
- 7.5.2.21 READ_EIN（86h，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.22 READ_VIN（88h，讀取字）
- 7.5.2.23 READ_IIN（89h，讀取字）
- 7.5.2.24 READ_VOUT（8Bh，讀取字）
- 7.5.2.25 READ_IOUT（8Ch，讀取字）
- 7.5.2.26 READ_TEMPERATURE_1（8Dh，讀取字）
- 7.5.2.27 READ_POUT（96h，讀取字）
- 7.5.2.28 READ_PIN（97h，讀取字）
- 7.5.2.29 PMBUS_REVISION（98h，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.30 MFR_ID（99h，塊讀取）
- 7.5.2.31 MFR_MODEL（9Ah，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.32 MFR_REVISION（9Bh，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.33 USER_DATA（BCh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.34 READ_VIN_MIN（A0h，讀取字）
- 7.5.2.35 READ_VIN_PEAK（A1h，讀取字）
- 7.5.2.36 READ_IIN_PEAK（A2h，讀取字）
- 7.5.2.37 READ_PIN_PEAK (A3h)
- 7.5.2.38 READ_VOUT_MIN（A4h，讀取字）
- 7.5.2.39 READ_TEMP_AVG（C7h，讀取字）
- 7.5.2.40 READ_TEMP_PEAK（C8h，讀取字）
- 7.5.2.41 READ_SAMPLE_BUF（C9h，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.42 POWER_CYCLE（CAh，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.43 READ_VAUX（D0h，讀取字）
- 7.5.2.44 MFR_READ_IIN（D1h，讀取字）
- 7.5.2.45 MFR_READ_PIN (D2h)
- 7.5.2.46 MFR_IIN_OC_WARN_LIMIT（D3h，F(xiàn)8h，讀取/寫入字）
- 7.5.2.47 MFR_PIN_OP_WARN_LIMIT（D4h，讀取/寫入字）
- 7.5.2.48 CLEAR_PIN_PEAK（D6h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.49 GATE_MASK（D7h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.50 ALERT_MASK（D8h，讀取/寫入字）
- 7.5.2.51 READ_VAUX_AVG（D9h，讀取字）
- 7.5.2.52 BLOCK_READ（DAh，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.53 SAMPLES_FOR_AVG（DBh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.54 READ_VIN_AVG（DCh，讀取字）
- 7.5.2.55 READ_VOUT_AVG（DDh，讀取字）
- 7.5.2.56 READ_IIN_AVG（DEh，讀取字）
- 7.5.2.57 READ_PIN_AVG（DFh，讀取字）
- 7.5.2.58 CLEAR_BB_RAM（E0h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.59 READ_DIAGNOSTIC_WORD（E1h，讀取字）
- 7.5.2.60 AVG_BLOCK_READ（E2h，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.61 BB_ERASE（E3h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.62 BB_CONFIG（E4h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.63 OC_BLANKING_TIMERS（E5h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.64 DELAY_CONFIG（E7h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.65 WD_PLB_ TIMER（E8h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.66 PK_MIN_AVG（E9h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.67 P2t 計時器（EAh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.68 FETCH_BB_EEPROM（EBh，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.69 READ_BB_RAM（ECh，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.70 ADC_CONFIG_1（EDh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.71 ADC_CONFIG_2（EEh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.72 DEVICE_SETUP1（CCh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.73 DEVICE_SETUP2（EFh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.74 DEVICE_SETUP3（F0h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.75 DEVICE_SETUP4（CDh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.76 DEVICE_SETUP5（CEh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.77 IIN 偏移校準（F2h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.78 STATUS_MFR_SPECIFIC_2（F3h，讀取字）
- 7.5.2.79 READ_BB_EEPROM（F4h，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.80 BB_TIMER（F6h，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.81 PMBUS_ADDR（F7h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.3 讀取和寫入遙測數(shù)據(jù)和警告閾值
- 7.5.4 通過線性擬合的經(jīng)驗確定遙測系數(shù)
- 7.5.5 寫入遙測數(shù)據(jù)
- 7.5.6 PMBus 地址線（ADR0、ADR1、ADR2）
- 7.5.7 SMBA 響應
- 8 應用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- PWP|28
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- PWP|28
訂購信息
8.2.1.2.1 選擇熱插拔 FET
為熱插拔設計選擇正確的 MOSFET 至關重要。器件必須滿足以下要求：
- VDS 額定值應足以處理最大系統(tǒng)電壓以及瞬態(tài)過程引起的任何振鈴電壓。對于大多數(shù) 54V 系統(tǒng)，100V FET 是不錯的選擇。
- FET 的 SOA 應足以處理所有用例：啟動、熱短路和啟動至短路。
- RDSON 應足夠低，以便保持結溫和外殼溫度低于 FET 的最大額定值。實際上，德州儀器 (TI) 建議將穩(wěn)態(tài) FET 溫度保持在 125°C 以下，以便留出處理瞬態(tài)的裕度。
- 最大持續(xù)電流額定值應高于最大負載電流，脈沖漏極電流則必須大于斷路器的電流閾值。通過前三項要求的大多數(shù) MOSFET 也通過了這兩項標準。
- 由于 LM5066Hx 可將柵極電壓上拉至相對源極高達 16V，因此要求 VGS 額定值為 ±20V。
在本設計中，選擇了 PSMN2R3-100SSE，因為它具有低 RDSON 和出色的 SOA。在此設計示例中，并聯(lián)使用了四 (4) 個 MOSFET。選擇 MOSFET 后，可按如下方式計算最大穩(wěn)態(tài)外殼溫度：
方程式 9. 
請注意，RDSON 是結溫的強大函數(shù)，對于大多數(shù) LFPAK88 MOSFET 而言，它非常接近外殼溫度。可能需要對前面的公式進行一些迭代，以收斂最終的 RDSON 和 TC,MAX 值。根據(jù) PSMN2R3-100SSE 數(shù)據(jù)表，其 RDSON 在 120°C 時為 1.75 倍。方程式 10 使用此 RDSON 值計算 TC,MAX。請注意，計算得出的 TC,MAX 接近為 RDSON 假設的結溫。因此，無需進一步迭代。
方程式 10.