ZHCSZ22A October 2025 – December 2025 LM5066H
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
LM5066Hx 具有 MOSFET 故障檢測(cè)功能,可在特定條件下識(shí)別外部 MOSFET 的損壞情況。該器件監(jiān)測(cè)兩種主要的故障類(lèi)型:
在以下情況下檢測(cè)漏源極或漏柵故障:
在插入期間,檢測(cè)電阻上的電壓超過(guò) 2mV (VSNS > 2mV) 或 FET 上的電壓降至 2V 以下 (VDS < 2V)
啟動(dòng)后,如果柵極由于任何故障而關(guān)斷,且檢測(cè)電阻電壓在 1ms 后保持在 2mV 以上
當(dāng)以下情況下,檢測(cè)柵源或漏柵故障:
在 GATE1 設(shè)置為高電平后,VGS1 保持低于 4V 的時(shí)間超過(guò) 500ms
在 GATE2 設(shè)置為高電平后,VGS2 保持低于 4V 的時(shí)間超過(guò) 500ms
當(dāng)檢測(cè)到漏極故障時(shí),會(huì)更新多個(gè)狀態(tài)寄存器,STATUS_WORD (79h) 中的 FET FAIL 位,STATUS_MFR_SPECIFIC (80h) 和 DIAGNOSTIC_WORD (E1h) 中的 EXT_MOSFET_SHORTED 位,以及 STATUS_MFR_SPECIFIC 中的 FET_FAULT_DRAIN 位。SMBA 引腳會(huì)置為有效,除非通過(guò) ALERT_MASK 寄存器 (D8h) 進(jìn)行禁用。器件保持鎖閉狀態(tài),直到發(fā)出運(yùn)行關(guān)閉命令,然后運(yùn)行開(kāi)啟,或者發(fā)出 UVLO/EN 切換或 POWER_CYCLE 命令,或者發(fā)生電源下電上電事件。
對(duì)于柵極故障,器件會(huì)在 STATUS_WORD (79h) 中設(shè)置 FET FAIL 位,在 STATUS_MFR_SPECIFIC (80h) 和 DIAGNOSTIC_WORD (E1h) 中設(shè)置 EXT_MOSFET_SHORTED 位。此外,若為 GATE1 故障,設(shè)置 STATUS_MFR_SPECIFIC 中的 FET_FAULT_GATE1 位,若為 GATE2 故障,設(shè)置 FET_FAULT_GATE2 位。檢測(cè)到 GATE 類(lèi)型故障后,可以通過(guò)設(shè)置 GATE_MASK (D7h) 寄存器中的位 6,將 GATE1 和 GATE2 配置為關(guān)斷狀態(tài)。如果配置為在柵極類(lèi)型故障后關(guān)斷,則器件會(huì)根據(jù)配置設(shè)置進(jìn)行重試。