ZHCSZ22A October 2025 – December 2025 LM5066H
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
表 8-1 總結(jié)了在設(shè)計熱插拔電路之前,必須了解的設(shè)計參數(shù)。通過熱插拔 MOSFET 為輸出電容器充電時,F(xiàn)ET 的總能量耗散等于輸出電容器中存儲的總能量 (1/2 CV2)。因此,輸入電壓和輸出電容決定了 MOSFET 在啟動期間承受的應(yīng)力。最大負(fù)載電流決定了電流限值和檢測電阻選型。此外,PCB 的最大負(fù)載電流、最高環(huán)境溫度和熱屬性 (RθCA) 會影響 MOSFET 的選擇,包括 RDSON 和使用的 MOSFET 數(shù)量。RθCA 與布局以及連接至 MOSFET 漏極的覆銅量之間存在密切關(guān)系。請注意,漏極未以電氣方式連接至接地平面;因此,無法使用接地平面來幫助散熱。本設(shè)計示例使用 RθCA = 25°C/W,與 LM5066H1 和 LM5066H2 評估模塊類似。良好的做法是在物理 PCB 可用后,測量給定設(shè)計的 RθCA。
最后,了解熱插拔需要通過哪些測試條件非常重要。通常,熱插拔電路的設(shè)計需同時通過熱短路與啟動時短路兩項測試要求,具體描述參見前一節(jié)。此外,德州儀器 (TI) 建議在熱插拔完全加電之前保持負(fù)載關(guān)斷狀態(tài)。盡早啟動負(fù)載會導(dǎo)致 MOSFET 承受不必要的應(yīng)力,并可能導(dǎo)致 MOSFET 故障或啟動失敗。
| 參數(shù) | 示例值 |
|---|---|
| 輸入電壓范圍 | 40 至 60V |
| 最大負(fù)載電流 | 100A |
| 熱插拔的最大輸出電容 | 5mF |
| 最高環(huán)境溫度 | 55°C |
| MOSFET RθCA(取決于布局) | 25°C/W |
| 通過“輸出熱短路”測試? | 是 |
| 通過“啟動至短路”測試? | 是 |
| 在 PG 置位之前,負(fù)載是否關(guān)閉? | 是 |
| 是否可以重新插入熱板? | 是 |