ZHCSZ22A October 2025 – December 2025 LM5066H
PRODUCTION DATA
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LM5066Hx 為 12V、24V 和 48V 系統(tǒng)提供了全面的熱插拔控制和電源監(jiān)控功能。其內(nèi)聯(lián)保護(hù)電路可限制在卡插入帶電背板時(shí)的浪涌電流,從而防止電壓驟降,并控制連接負(fù)載的 dV/dt。這可以避免意外復(fù)位,從而最大限度地減少對(duì)其他系統(tǒng)元件的干擾。移除卡后,該器件還會(huì)啟用受控關(guān)斷功能。
除了可編程電流限值外,LM5066Hx 還監(jiān)測(cè)并限制 MOSFET 中的最大功率耗散,以保持在器件安全工作區(qū) (SOA) 內(nèi)運(yùn)行。擴(kuò)展電流或功率限制條件可觸發(fā) MOSFET 器件關(guān)斷,重試選項(xiàng)可配置(無(wú)、1、2、4、8、16 或無(wú)限嘗試)。斷路器功能可在檢測(cè)到嚴(yán)重過(guò)流情況時(shí)快速關(guān)斷 MOSFET。當(dāng)系統(tǒng)輸入電壓超出所需的工作范圍時(shí),可編程欠壓鎖定 (UVLO) 和過(guò)壓鎖定 (OVLO) 電路會(huì)關(guān)斷 LM5066Hx。
通過(guò) PMBus? 接口可提供廣泛的配置選項(xiàng),也可以存儲(chǔ)在內(nèi)部 EEPROM 中,從而實(shí)現(xiàn)自主操作,而無(wú)需主機(jī)在上電時(shí)干預(yù)。全面的遙測(cè)功能包括監(jiān)控輸入電壓、輸出電壓、輸入電流、輸入功率、溫度和輔助輸入。該器件具有輸入電壓、電流、功率和溫度的峰值監(jiān)測(cè)功能,并可對(duì)關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行可編程的平均值計(jì)算。受監(jiān)控參數(shù)的可編程警告閾值可通過(guò) PMBus 接口觸發(fā) SMBA 引腳。高級(jí)遙測(cè)功能包括高速 ADC 樣本緩沖(“數(shù)字示波器”)和黑盒故障記錄,可簡(jiǎn)化調(diào)試并實(shí)現(xiàn)預(yù)測(cè)性維護(hù)。
集成的高精度、高帶寬模擬負(fù)載電流監(jiān)測(cè)器可在穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)條件下實(shí)現(xiàn)精確的負(fù)載電流測(cè)量,有助于先進(jìn)的動(dòng)態(tài)平臺(tái)電源管理技術(shù)(如 Intel PSYS)優(yōu)化系統(tǒng)功耗和吞吐量,而不會(huì)影響安全性。
LM5066H2 采用雙路柵極驅(qū)動(dòng)器架構(gòu),優(yōu)化了布板空間,并降低了需要多個(gè)熱插拔 FET 的大功率應(yīng)用中的元件成本。初級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)器 (GATE1) 控制單個(gè)強(qiáng)大的 SOA FET,該 FET 專(zhuān)為應(yīng)對(duì)啟動(dòng)、電流限制和故障事件期間的功率限制等嚴(yán)苛條件而設(shè)計(jì)。次級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)器 (GATE2) 僅在主 FET 達(dá)到完全增強(qiáng)后才會(huì)激活,從而使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠僅根據(jù)低 RDS(ON) 特性選擇次級(jí) FET,而無(wú)需廣泛的 SOA 功能。這種架構(gòu)顯著減少了元件數(shù)量和布板空間,同時(shí)保持穩(wěn)健的系統(tǒng)保護(hù)。該器件的 100μA 拉電流能力可確保瞬態(tài)條件下的快速恢復(fù),防止在相鄰卡移除等事件期間系統(tǒng)復(fù)位。
LM5066H2 采用高級(jí)軟啟動(dòng)電容器斷開(kāi)功能,可提供受控的啟動(dòng)時(shí)序,同時(shí)在正常運(yùn)行期間自動(dòng)斷開(kāi)軟啟動(dòng)電容器。這一特性支持使用較小的熱插拔 FET,而不會(huì)犧牲瞬態(tài)響應(yīng)性能,從而進(jìn)一步優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。該器件包含全面的診斷功能,可檢測(cè)連接至 GATE1 和 GATE2 引腳的外部 MOSFET 損壞,從而增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性并便于故障排除。