ZHCSZ22A October 2025 – December 2025 LM5066H
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說(shuō)明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3 特性說(shuō)明
- 7.4 器件功能模式
- 7.5
編程
- 7.5.1 PMBus 命令支持
- 7.5.2
PMBus 命令的詳細(xì)說(shuō)明
- 7.5.2.1 操作（01h，讀取/寫(xiě)入字節(jié)）
- 7.5.2.2 CLEAR_FAULTS（03h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.3 WRITE_PROTECT（10h，讀取/寫(xiě)入字節(jié)）
- 7.5.2.4 RESTORE_FACTORY_DEFAULTS（12h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.5 STORE_USER_ALL（15h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.6 RESTORE_USER_ALL（16h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.7 CAPABILITY（19h，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.8 VOUT_UV_WARN_LIMIT（43h，讀取/寫(xiě)入字）
- 7.5.2.9 OT_FAULT_LIMIT（4Fh，讀取/寫(xiě)入字）
- 7.5.2.10 OT_WARN_LIMIT（51h，讀取/寫(xiě)入字）
- 7.5.2.11 VIN_OV_WARN_LIMIT（57h，讀取/寫(xiě)入字）
- 7.5.2.12 IIN_OC_WARN_LIMIT（5Dh，讀取/寫(xiě)入字）
- 7.5.2.13 STATUS_BYTE（78h，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.14 STATUS_WORD（79h，讀取字）
- 7.5.2.15 STATUS_VOUT（7Ah，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.16 STATUS_INPUT（7Ch，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.17 STATUS_TEMPERATURE（7Dh，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.18 STATUS_CML（7Eh，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.19 STATUS_OTHER（7Fh，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.20 STATUS_MFR_SPECIFIC (80h)
- 7.5.2.21 READ_EIN（86h，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.22 READ_VIN（88h，讀取字）
- 7.5.2.23 READ_IIN（89h，讀取字）
- 7.5.2.24 READ_VOUT（8Bh，讀取字）
- 7.5.2.25 READ_IOUT（8Ch，讀取字）
- 7.5.2.26 READ_TEMPERATURE_1（8Dh，讀取字）
- 7.5.2.27 READ_POUT（96h，讀取字）
- 7.5.2.28 READ_PIN（97h，讀取字）
- 7.5.2.29 PMBUS_REVISION（98h，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.30 MFR_ID（99h，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.31 MFR_MODEL（9Ah，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.32 MFR_REVISION（9Bh，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.33 USER_DATA（BCh，讀取/寫(xiě)入字節(jié)）
- 7.5.2.34 READ_VIN_MIN（A0h，讀取字）
- 7.5.2.35 READ_VIN_PEAK（A1h，讀取字）
- 7.5.2.36 READ_IIN_PEAK（A2h，讀取字）
- 7.5.2.37 READ_PIN_PEAK (A3h)
- 7.5.2.38 READ_VOUT_MIN（A4h，讀取字）
- 7.5.2.39 READ_TEMP_AVG（C7h，讀取字）
- 7.5.2.40 READ_TEMP_PEAK（C8h，讀取字）
- 7.5.2.41 READ_SAMPLE_BUF（C9h，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.42 POWER_CYCLE（CAh，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.43 READ_VAUX（D0h，讀取字）
- 7.5.2.44 MFR_READ_IIN（D1h，讀取字）
- 7.5.2.45 MFR_READ_PIN (D2h)
- 7.5.2.46 MFR_IIN_OC_WARN_LIMIT（D3h，F(xiàn)8h，讀取/寫(xiě)入字）
- 7.5.2.47 MFR_PIN_OP_WARN_LIMIT（D4h，讀取/寫(xiě)入字）
- 7.5.2.48 CLEAR_PIN_PEAK（D6h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.49 GATE_MASK（D7h，讀取/寫(xiě)入字節(jié)）
- 7.5.2.50 ALERT_MASK（D8h，讀取/寫(xiě)入字）
- 7.5.2.51 READ_VAUX_AVG（D9h，讀取字）
- 7.5.2.52 BLOCK_READ（DAh，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.53 SAMPLES_FOR_AVG（DBh，讀取/寫(xiě)入字節(jié)）
- 7.5.2.54 READ_VIN_AVG（DCh，讀取字）
- 7.5.2.55 READ_VOUT_AVG（DDh，讀取字）
- 7.5.2.56 READ_IIN_AVG（DEh，讀取字）
- 7.5.2.57 READ_PIN_AVG（DFh，讀取字）
- 7.5.2.58 CLEAR_BB_RAM（E0h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.59 READ_DIAGNOSTIC_WORD（E1h，讀取字）
- 7.5.2.60 AVG_BLOCK_READ（E2h，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.61 BB_ERASE（E3h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.62 BB_CONFIG（E4h，讀取/寫(xiě)入字節(jié)）
- 7.5.2.63 OC_BLANKING_TIMERS（E5h，讀取/寫(xiě)入字節(jié)）
- 7.5.2.64 DELAY_CONFIG（E7h，讀取/寫(xiě)入字節(jié)）
- 7.5.2.65 WD_PLB_ TIMER（E8h，讀取/寫(xiě)入字節(jié)）
- 7.5.2.66 PK_MIN_AVG（E9h，讀取/寫(xiě)入字節(jié)）
- 7.5.2.67 P2t 計(jì)時(shí)器（EAh，讀取/寫(xiě)入字節(jié)）
- 7.5.2.68 FETCH_BB_EEPROM（EBh，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.69 READ_BB_RAM（ECh，塊讀取）
- 7.5.2.70 ADC_CONFIG_1（EDh，讀取/寫(xiě)入字節(jié)）
- 7.5.2.71 ADC_CONFIG_2（EEh，讀取/寫(xiě)入字節(jié)）
- 7.5.2.72 DEVICE_SETUP1（CCh，讀取/寫(xiě)入字節(jié)）
- 7.5.2.73 DEVICE_SETUP2（EFh，讀取/寫(xiě)入字節(jié)）
- 7.5.2.74 DEVICE_SETUP3（F0h，讀取/寫(xiě)入字節(jié)）
- 7.5.2.75 DEVICE_SETUP4（CDh，讀取/寫(xiě)入字節(jié)）
- 7.5.2.76 DEVICE_SETUP5（CEh，讀取/寫(xiě)入字節(jié)）
- 7.5.2.77 IIN 偏移校準(zhǔn)（F2h，讀取/寫(xiě)入字節(jié)）
- 7.5.2.78 STATUS_MFR_SPECIFIC_2（F3h，讀取字）
- 7.5.2.79 READ_BB_EEPROM（F4h，塊讀取）
- 7.5.2.80 BB_TIMER（F6h，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.81 PMBUS_ADDR（F7h，讀取/寫(xiě)入字節(jié)）
- 7.5.3 讀取和寫(xiě)入遙測(cè)數(shù)據(jù)和警告閾值
- 7.5.4 通過(guò)線性擬合的經(jīng)驗(yàn)確定遙測(cè)系數(shù)
- 7.5.5 寫(xiě)入遙測(cè)數(shù)據(jù)
- 7.5.6 PMBus 地址線（ADR0、ADR1、ADR2）
- 7.5.7 SMBA 響應(yīng)
-
8 應(yīng)用和實(shí)施
- 8.1 應(yīng)用信息
- 8.2
典型應(yīng)用
- 8.2.1
54V、100A PMBus 熱插拔設(shè)計(jì)
- 8.2.1.1 設(shè)計(jì)要求
- 8.2.1.2 詳細(xì)設(shè)計(jì)導(dǎo)入程序
- 8.2.1.3 應(yīng)用曲線
- 8.2.1
54V、100A PMBus 熱插拔設(shè)計(jì)
- 8.3 電源相關(guān)建議
- 8.4 布局
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- PWP|28
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- PWP|28
訂購(gòu)信息
7.4.3 故障計(jì)時(shí)器和重啟
當(dāng)在啟動(dòng)或其他故障事件期間超過(guò)電流或功率限制閾值時(shí)，該器件會(huì)調(diào)節(jié) GATE1 電壓，以控制負(fù)載電流并限制初級(jí) FET (Q1) 中的功率耗散。在這些調(diào)節(jié)時(shí)段內(nèi)，75μA 電流源為連接至計(jì)時(shí)器引腳的外部故障計(jì)時(shí)器電容器 (CTMR) 充電，對(duì)于 LM5066H2，GATE2 將保持完全關(guān)斷狀態(tài)。如果在計(jì)時(shí)器引腳電壓達(dá)到 3.9V 之前限制條件解決，該器件將恢復(fù)正常工作，并且 CTMR 通過(guò) 10mA 灌電流進(jìn)行放電。但是，如果計(jì)時(shí)器引腳電壓在仍處于限制模式時(shí)達(dá)到 3.9V，GATE1 會(huì)通過(guò) 10mA 或 1.5A 下拉電流關(guān)斷。后續(xù)的重新啟動(dòng)行為取決于所選的重試配置。
當(dāng) RETRY 引腳為高電平時(shí)，該器件會(huì)在故障超時(shí)期結(jié)束后將 GATE 鎖存為低電平。然后，計(jì)時(shí)電容器通過(guò) 2.5μA 灌電流向地放電。GATE 保持低電平，直到通過(guò)對(duì)輸入電壓進(jìn)行上下電循環(huán)或使用集電極開(kāi)路或漏極開(kāi)路器件短暫地將 UVLO/EN 引腳拉至其閾值以下來(lái)從外部啟動(dòng)上電序列。為了成功重新啟動(dòng)，計(jì)時(shí)器引腳電壓必須低于 0.3V。在該鎖閉關(guān)斷條件下，DIAGNOSTIC_WORD (E1h) 寄存器中的 TIMER_LATCHED_OFF 位保持置位狀態(tài)。
圖 7-4 鎖存故障重啟控制LM5066Hx 采用用于故障恢復(fù)的可配置自動(dòng)重試機(jī)制。在故障超時(shí)期間之后，器件啟動(dòng)自動(dòng)重啟序列，在此期間計(jì)時(shí)器引腳會(huì)在 3.9V 至 1.2V 之間循環(huán)七次。每個(gè)周期的持續(xù)時(shí)間取決于外部計(jì)時(shí)器電容 (CTMR) 值，以及內(nèi)部 75μA 充電電流和 2.5μA 放電電流。在第八次高電平到低電平轉(zhuǎn)換期間，當(dāng)計(jì)時(shí)器引腳電壓達(dá)到 0.3V 時(shí)，器件會(huì)激活 GATE 引腳上的 21μA 電流源，以開(kāi)啟外部 MOSFET (Q1)。如果故障情況仍然存在，則故障超時(shí)周期和重啟序列會(huì)根據(jù)編程的重試設(shè)置重復(fù)?？赏ㄟ^(guò) RETRY 引腳選擇基本重試行為，支持“無(wú)重試（閉鎖關(guān)斷模式）”或“無(wú)限重試”兩種模式。為了實(shí)現(xiàn)更精確的控制，DEVICE_SETUP 寄存器 (D9h) 支持選擇特定重試計(jì)數(shù)：0、1、2、4、8、16 或無(wú)限。這種可編程性使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠根據(jù)應(yīng)用要求優(yōu)化故障恢復(fù)行為。在閉鎖模式下，器件會(huì)將 FET 保持在關(guān)斷狀態(tài)，直到發(fā)出 OPERATION OFF 命令，然后發(fā)出 OPERATION ON 命令，或發(fā)出 UVLO/EN 切換或 POWER_CYCLE 命令，或發(fā)生電源下電上電事件。
計(jì)時(shí)器放電電流可通過(guò) DEVICE_SETUP4 寄存器的位 6 配置為 2.5μA 或 75μA。重試延遲時(shí)序可以使用帶有外部電容器的模擬故障計(jì)時(shí)器或數(shù)字計(jì)時(shí)器，可通過(guò) DEVICE_SETUP4 的位 2:3 進(jìn)行選擇。使用數(shù)字時(shí)序時(shí)，可使用 DELAY_CONFIG 寄存器的位 4:7 在 10ms 至 10s 的范圍內(nèi)，對(duì)重試延遲周期進(jìn)行編程。
圖 7-5 重啟序列