ZHCSZ22A October 2025 – December 2025 LM5066H
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3 特性說明
- 7.4 器件功能模式
- 7.5
編程
- 7.5.1 PMBus 命令支持
- 7.5.2
PMBus 命令的詳細(xì)說明
- 7.5.2.1 操作（01h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.2 CLEAR_FAULTS（03h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.3 WRITE_PROTECT（10h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.4 RESTORE_FACTORY_DEFAULTS（12h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.5 STORE_USER_ALL（15h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.6 RESTORE_USER_ALL（16h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.7 CAPABILITY（19h，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.8 VOUT_UV_WARN_LIMIT（43h，讀取/寫入字）
- 7.5.2.9 OT_FAULT_LIMIT（4Fh，讀取/寫入字）
- 7.5.2.10 OT_WARN_LIMIT（51h，讀取/寫入字）
- 7.5.2.11 VIN_OV_WARN_LIMIT（57h，讀取/寫入字）
- 7.5.2.12 IIN_OC_WARN_LIMIT（5Dh，讀取/寫入字）
- 7.5.2.13 STATUS_BYTE（78h，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.14 STATUS_WORD（79h，讀取字）
- 7.5.2.15 STATUS_VOUT（7Ah，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.16 STATUS_INPUT（7Ch，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.17 STATUS_TEMPERATURE（7Dh，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.18 STATUS_CML（7Eh，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.19 STATUS_OTHER（7Fh，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.20 STATUS_MFR_SPECIFIC (80h)
- 7.5.2.21 READ_EIN（86h，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.22 READ_VIN（88h，讀取字）
- 7.5.2.23 READ_IIN（89h，讀取字）
- 7.5.2.24 READ_VOUT（8Bh，讀取字）
- 7.5.2.25 READ_IOUT（8Ch，讀取字）
- 7.5.2.26 READ_TEMPERATURE_1（8Dh，讀取字）
- 7.5.2.27 READ_POUT（96h，讀取字）
- 7.5.2.28 READ_PIN（97h，讀取字）
- 7.5.2.29 PMBUS_REVISION（98h，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.30 MFR_ID（99h，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.31 MFR_MODEL（9Ah，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.32 MFR_REVISION（9Bh，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.33 USER_DATA（BCh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.34 READ_VIN_MIN（A0h，讀取字）
- 7.5.2.35 READ_VIN_PEAK（A1h，讀取字）
- 7.5.2.36 READ_IIN_PEAK（A2h，讀取字）
- 7.5.2.37 READ_PIN_PEAK (A3h)
- 7.5.2.38 READ_VOUT_MIN（A4h，讀取字）
- 7.5.2.39 READ_TEMP_AVG（C7h，讀取字）
- 7.5.2.40 READ_TEMP_PEAK（C8h，讀取字）
- 7.5.2.41 READ_SAMPLE_BUF（C9h，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.42 POWER_CYCLE（CAh，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.43 READ_VAUX（D0h，讀取字）
- 7.5.2.44 MFR_READ_IIN（D1h，讀取字）
- 7.5.2.45 MFR_READ_PIN (D2h)
- 7.5.2.46 MFR_IIN_OC_WARN_LIMIT（D3h，F(xiàn)8h，讀取/寫入字）
- 7.5.2.47 MFR_PIN_OP_WARN_LIMIT（D4h，讀取/寫入字）
- 7.5.2.48 CLEAR_PIN_PEAK（D6h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.49 GATE_MASK（D7h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.50 ALERT_MASK（D8h，讀取/寫入字）
- 7.5.2.51 READ_VAUX_AVG（D9h，讀取字）
- 7.5.2.52 BLOCK_READ（DAh，塊讀取）
- 7.5.2.53 SAMPLES_FOR_AVG（DBh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.54 READ_VIN_AVG（DCh，讀取字）
- 7.5.2.55 READ_VOUT_AVG（DDh，讀取字）
- 7.5.2.56 READ_IIN_AVG（DEh，讀取字）
- 7.5.2.57 READ_PIN_AVG（DFh，讀取字）
- 7.5.2.58 CLEAR_BB_RAM（E0h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.59 READ_DIAGNOSTIC_WORD（E1h，讀取字）
- 7.5.2.60 AVG_BLOCK_READ（E2h，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.61 BB_ERASE（E3h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.62 BB_CONFIG（E4h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.63 OC_BLANKING_TIMERS（E5h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.64 DELAY_CONFIG（E7h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.65 WD_PLB_ TIMER（E8h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.66 PK_MIN_AVG（E9h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.67 P2t 計(jì)時(shí)器（EAh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.68 FETCH_BB_EEPROM（EBh，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.69 READ_BB_RAM（ECh，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.70 ADC_CONFIG_1（EDh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.71 ADC_CONFIG_2（EEh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.72 DEVICE_SETUP1（CCh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.73 DEVICE_SETUP2（EFh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.74 DEVICE_SETUP3（F0h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.75 DEVICE_SETUP4（CDh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.76 DEVICE_SETUP5（CEh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.77 IIN 偏移校準(zhǔn)（F2h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.78 STATUS_MFR_SPECIFIC_2（F3h，讀取字）
- 7.5.2.79 READ_BB_EEPROM（F4h，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.80 BB_TIMER（F6h，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.81 PMBUS_ADDR（F7h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.3 讀取和寫入遙測(cè)數(shù)據(jù)和警告閾值
- 7.5.4 通過線性擬合的經(jīng)驗(yàn)確定遙測(cè)系數(shù)
- 7.5.5 寫入遙測(cè)數(shù)據(jù)
- 7.5.6 PMBus 地址線（ADR0、ADR1、ADR2）
- 7.5.7 SMBA 響應(yīng)
-
8 應(yīng)用和實(shí)施
- 8.1 應(yīng)用信息
- 8.2
典型應(yīng)用
- 8.2.1
54V、100A PMBus 熱插拔設(shè)計(jì)
- 8.2.1.1 設(shè)計(jì)要求
- 8.2.1.2 詳細(xì)設(shè)計(jì)導(dǎo)入程序
- 8.2.1.3 應(yīng)用曲線
- 8.2.1
54V、100A PMBus 熱插拔設(shè)計(jì)
- 8.3 電源相關(guān)建議
- 8.4 布局
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- PWP|28
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- PWP|28
訂購(gòu)信息
7.5.4 通過線性擬合的經(jīng)驗(yàn)確定遙測(cè)系數(shù)
表 7-72 中所示的遙測(cè)測(cè)量和警告閾值系數(shù)足以滿足大多數(shù)應(yīng)用的需求。電流和功率系數(shù)取決于 RSNS，必須根據(jù)應(yīng)用進(jìn)行計(jì)算。這些是通過在整個(gè)溫度范圍內(nèi)表征多個(gè)器件而獲得的，并且被認(rèn)為是最優(yōu)的。電流和功率測(cè)量的小信號(hào)性質(zhì)使其比其他遙測(cè)通道更容易受到 PCB 寄生效應(yīng)的影響。此外，RSNS 和 LM5066Hx 本身也存在一些差異。這可能會(huì)導(dǎo)致從數(shù)字值轉(zhuǎn)換為實(shí)際值（例如，安培和瓦特）的最優(yōu)系數(shù)（m、b 和 R）略有變化。為了更大限度地提高遙測(cè)精度，可以使用經(jīng)驗(yàn)方法針對(duì)給定的電路板校準(zhǔn)系數(shù)。這將確定最佳系數(shù)來抵消 PCB 寄生效應(yīng)、RSNS 變化以及 LM5066Hx 變化導(dǎo)致的誤差。在一個(gè)電路板上進(jìn)行測(cè)量并對(duì)所有生產(chǎn)中的器件使用計(jì)算出的系數(shù)并不是良好的做法，因?yàn)榻o定電路板上的 RSNS 和 LM5066Hx 是隨機(jī)選擇的，并不代表統(tǒng)計(jì)均值。建議對(duì)每塊電路板單獨(dú)進(jìn)行校準(zhǔn)，或直接采用表 7-72 中提供的推薦系數(shù)。
可以使用以下方法確定特定電路板的理想電流系數(shù)：
- 當(dāng) LM5066Hx 處于正常運(yùn)行狀態(tài)時(shí)，需控制負(fù)載電流，同時(shí)使用開爾文測(cè)試點(diǎn)和高精度 DVM 測(cè)量檢測(cè)電阻兩端的電壓。記錄 READ_AVG_IIN 命令返回的整數(shù)值（需將 SAMPLES_FOR_AVG 設(shè)置為大于 0 的值），且需在采樣電阻兩端施加至少兩種不同電壓的情況下進(jìn)行記錄。為了獲得更好的結(jié)果，各個(gè) READ_AVG_IIN 測(cè)量值應(yīng)跨越幾乎滿量程的電流范圍（例如，RSNS 兩端的電壓為 5mV 和 20mV）。
- 通過將測(cè)量的電壓除以 RSNS 的值，將其轉(zhuǎn)換為電流。為獲得最佳精度，應(yīng)測(cè)量 RSNS 的值。表 7-73 假設(shè)檢測(cè)電阻值為 5mΩ。表 7-73 用于電流系數(shù)線性擬合確定的測(cè)量方法
RSNS 兩端的
測(cè)量電壓 (V)測(cè)量電流
(A)READ_AVG_IIN
（整數(shù)值）0.005 1 568 0.01 2 1108 0.02 4 2185 - 使用電子表格（或數(shù)學(xué)程序）來確定 READ_AVG_IIN 命令返回的數(shù)據(jù)相對(duì)于測(cè)量電流的斜率和 Y 軸截距。對(duì)于表 7-72 中顯示的數(shù)據(jù)：
- READ_AVG_IN 值 = 斜率 ×（測(cè)量電流）+（Y 軸截距）
- 斜率 = 538.9
- Y 軸截距 = 29.5
- 要確定 m 系數(shù)，只需移動(dòng)計(jì)算斜率的小數(shù)點(diǎn)，即可得出具有適當(dāng)有效位數(shù)（通常為 4）的整數(shù)，同時(shí)保持在 –32768 至 32767 的范圍內(nèi)。小數(shù)點(diǎn)的這種移位對(duì)應(yīng)著 R 系數(shù)。對(duì)于上一步中顯示的斜率值，小數(shù)點(diǎn)將向右移動(dòng)一次，因此 R = –1。
- 確定 R 系數(shù)后，將 Y 軸截距乘以 10 –R 得出 b 系數(shù)。在這種情況下，b 的值為 295。
- 計(jì)算得出的電流系數(shù)：
- m = 5389
- b = 295
- R = –1
方程式 7. 
其中
- X = 計(jì)算出的實(shí)際值（伏特、安培、瓦特、溫度）
- m = 斜率系數(shù)，是兩字節(jié)二進(jìn)制補(bǔ)碼整數(shù)
- Y = 從器件接收的兩字節(jié)二進(jìn)制補(bǔ)碼整數(shù)
- b = 偏移量，是兩字節(jié)二進(jìn)制補(bǔ)碼整數(shù)
- R = 指數(shù)，是單字節(jié)二進(jìn)制補(bǔ)碼整數(shù)
只需將測(cè)得的電流改為其他一些參數(shù)（例如功率或電壓），即可重復(fù)此流程來確定任何遙測(cè)通道的系數(shù)。