ZHCSZ22A October 2025 – December 2025 LM5066H
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
通常,最好使用較低的功率限制設置來降低 MOSFET 上的應力。但是,當 LM5066H1 設置為低功率限制時,必須將 FET 電流,及檢測電阻兩端的電壓 (VSNS) 調(diào)節(jié)至極低的值。VSNS 可按圖 方程式 18 所示方法計算。

為了避免功率限制性能顯著下降,TI 不建議 VSNS 小于 0.5mV。根據(jù)此要求,可以按如下方式計算允許的最小功率限值:
在大多數(shù)應用中,可以使用 方程式 20,將功率限制設置為 PLIM,MIN。此處考慮 270W 的功率限制。
應選擇最接近的可用電阻。在本案例中,選擇了 10kΩ 電阻。