ZHCSZ22A October 2025 – December 2025 LM5066H
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
浪涌電流應(yīng)保持足夠低,以便在啟動期間使 MOSFET 保持在其 SOA 范圍內(nèi)。請注意,無論浪涌時間如何,MOSFET 在啟動期間的總能量耗散都是恒定的。因此,只要負(fù)載在啟動過程中關(guān)閉,將啟動時間延長,始終可以降低 MOSFET 承受的應(yīng)力。
選擇目標(biāo)壓擺率時,應(yīng)選擇一個合理的數(shù)字,檢查 SOA,并在必要時降低壓擺率。以 0.3V/ms 為起點,浪涌電流可按如下方式計算:
假設(shè)最大輸入電壓為 60V,啟動大約需要 200ms。請注意,F(xiàn)ET 的功率耗散從 VIN,MAX × IINR 開始,并隨著 MOSFET 的 VDS 降低而降至 0。請注意,SOA 曲線假設(shè)在給定時間內(nèi)具有相同的功率耗散。保守的方法是采用等效功率曲線,其中 PFET = VIN,MAX × IINR (t = tstart-up /2)。在本例中,可以通過查看 60V、1.5A、100ms 脈沖來檢查 SOA。使用 PSMN2R3-100SSE MOSFET 數(shù)據(jù)表中的 SOA 圖,MOSFET 可以在 25°C 的環(huán)境溫度下處理 60V、6A 電流并持續(xù) 100ms。該值也必須根據(jù)溫度進行降額計算。對于該計算,假設(shè)當(dāng)插入電路板時 TC 可以等于 TC,MAX。這僅在拔下熱板,然后在熱板冷卻之前插回時才會發(fā)生。對于許多應(yīng)用來說這是最壞的情況,可使用 TA,MAX 來實現(xiàn)這種降額計算。
該計算表明,如果壓擺率為 0.3V/ms,MOSFET 在啟動期間完全保持在其 SOA 范圍內(nèi)。請注意,如果負(fù)載在啟動期間關(guān)斷,則無論壓擺率如何,F(xiàn)ET 中耗散的總能量都是恒定的。因此,較低的壓擺率始終會對 FET 施加較小的應(yīng)力。為確保壓擺率不超過 0.3V/ms,應(yīng)按如下方式選擇 Cdv/dt:
選擇最接近的值 68nF。接下來,可以計算出典型壓擺率為 0.31V/ms,如 方程式 14 所示,對應(yīng)的典型啟動時間約為 200ms。