ZHCSZ22A October 2025 – December 2025 LM5066H
PRODUCTION DATA
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LM5066H1 提供單柵極驅(qū)動(dòng),能夠并聯(lián)驅(qū)動(dòng)多個(gè) MOSFET。LM5066H2 采用雙通道柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu),針對(duì)高功率熱插拔應(yīng)用優(yōu)化了 MOSFET 選擇。GATE1 可在雙柵極配置下驅(qū)動(dòng)單個(gè)穩(wěn)健的 SOA MOSFET,或在單柵極模式下驅(qū)動(dòng)多個(gè) MOSFET。在 21μA 柵源電流的情況下,GATE1 可提供受控導(dǎo)通功能,以便實(shí)現(xiàn)基于有效浪涌電流限制或功率限制的啟動(dòng)。對(duì)于 LM5066H1,dV/dt 電容器可直接從 GATE1 連接至 GND;對(duì)于 LM5066H2,dV/dt 電容器可跨接在 SFT_STRT 與 GND 之間,以進(jìn)一步管理浪涌電流。在電流限制或功率限制條件下,該器件會(huì)調(diào)節(jié) GATE1,同時(shí)保持 GATE2 關(guān)閉。
在雙路柵極運(yùn)行中,GATE2 驅(qū)動(dòng)多個(gè)低 RDS(ON) MOSFET,以實(shí)現(xiàn)正常運(yùn)行。為了保護(hù)這些 MOSFET,只要 VDS 超過 2V,GATE2 就會(huì)關(guān)斷,從而防止啟動(dòng)、短路情況或電流/功率限制事件期間產(chǎn)生功率應(yīng)力。僅當(dāng) GATE1 VGS 超過 8V 且 VDS 降至 2V 以下時(shí),GATE2 才會(huì)激活。更高的柵源電流 (130μA) 可使多個(gè)并聯(lián) MOSFET 快速導(dǎo)通。
如果發(fā)生以下任何事件,則 LM5066Hx 的 GATE1 和 GATE2 已關(guān)閉:
過流消隱和調(diào)節(jié)故障計(jì)時(shí)器到期后,電流超過電流限制閾值
MOSFET 中的功率耗散超過功率限制閾值,調(diào)節(jié)故障計(jì)時(shí)器到期
欠壓或過壓條件
斷路器或短路保護(hù)
過熱、MOSFET 損壞檢測(cè)或看門狗超時(shí)故障
PMBus 命令、OPERATION 或 POWER CYCLE 命令用于設(shè)置輸出禁用
在穩(wěn)定狀態(tài)下,當(dāng)發(fā)生以下任何條件時(shí),GATE2 將關(guān)斷,GATE1 保持導(dǎo)通或處于穩(wěn)壓狀態(tài),
VDS 出于任何原因都超過 2V
電流限制或功率限制操作開始
一個(gè)內(nèi)部電荷泵向兩個(gè)輸出端提供柵極電壓,在正常運(yùn)行時(shí)在柵極上產(chǎn)生約 13.5V 的電壓。在初始上電期間,10mA 下拉電阻可防止米勒電容效應(yīng)導(dǎo)致不必要的 MOSFET 激活。
在插入期間,10mA 下拉電流使兩個(gè)柵極保持低電平。插入后,GATE1 電壓進(jìn)行調(diào)制,在計(jì)時(shí)器電容器充電時(shí),將電流和功率保持在編程的限值范圍內(nèi)。如果在計(jì)時(shí)器達(dá)到 3.9V 之前限制條件得到解決,電容器將放電并開始正常運(yùn)行。如果限制持續(xù)到計(jì)時(shí)器達(dá)到 3.9V,GATE1 會(huì)拉至低電平,直到重試。
LM5066Hx 可針對(duì)各種故障條件提供可配置的柵極下拉強(qiáng)度(10mA 或 1.5A),以靈活匹配系統(tǒng)要求。
| 參數(shù) | 條件 | GATE1 | GATE2 |
|---|---|---|---|
| 拉電流 | 正常運(yùn)行 | 21μA | 130μA |
| 灌電流 | VUVLO < VUVLOTH | 10mA /1.5A 可在 DEVICE_SETUP5 寄存器的位 0 中進(jìn)行選擇 | |
| VOVLO > VOVLOTH | 10mA /1.5A 可在 DEVICE_SETUP5 寄存器的位 1 中進(jìn)行選擇 | ||
OC / FET Plim 故障 調(diào)節(jié)計(jì)時(shí)器到期后 | 10mA /1.5A 可在 DEVICE_SETUP5 寄存器的位 4 中進(jìn)行選擇 | x | |
消隱計(jì)時(shí)器到期, 器件進(jìn)入電流/功率限制 | x | 10mA /1.5A 可在 DEVICE_SETUP5 寄存器的位 3 中進(jìn)行選擇 | |
數(shù)字故障/命令 (OT、FET_FAIL、運(yùn)行、下電上電、WD 到期) | 10mA /1.5A 可在 DEVICE_SETUP5 寄存器的位 2 中進(jìn)行選擇 | ||
| CB / SCP | 1.5A | ||
VIN < POR 插入時(shí)間 | 10mA | ||
| 最大穩(wěn)壓灌電流 | OC/FET Plim 限制 | 235μA | x |