ZHCSZ22A October 2025 – December 2025 LM5066H
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說(shuō)明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3 特性說(shuō)明
- 7.4 器件功能模式
- 7.5
編程
- 7.5.1 PMBus 命令支持
- 7.5.2
PMBus 命令的詳細(xì)說(shuō)明
- 7.5.2.1 操作（01h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.2 CLEAR_FAULTS（03h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.3 WRITE_PROTECT（10h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.4 RESTORE_FACTORY_DEFAULTS（12h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.5 STORE_USER_ALL（15h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.6 RESTORE_USER_ALL（16h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.7 CAPABILITY（19h，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.8 VOUT_UV_WARN_LIMIT（43h，讀取/寫入字）
- 7.5.2.9 OT_FAULT_LIMIT（4Fh，讀取/寫入字）
- 7.5.2.10 OT_WARN_LIMIT（51h，讀取/寫入字）
- 7.5.2.11 VIN_OV_WARN_LIMIT（57h，讀取/寫入字）
- 7.5.2.12 IIN_OC_WARN_LIMIT（5Dh，讀取/寫入字）
- 7.5.2.13 STATUS_BYTE（78h，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.14 STATUS_WORD（79h，讀取字）
- 7.5.2.15 STATUS_VOUT（7Ah，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.16 STATUS_INPUT（7Ch，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.17 STATUS_TEMPERATURE（7Dh，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.18 STATUS_CML（7Eh，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.19 STATUS_OTHER（7Fh，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.20 STATUS_MFR_SPECIFIC (80h)
- 7.5.2.21 READ_EIN（86h，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.22 READ_VIN（88h，讀取字）
- 7.5.2.23 READ_IIN（89h，讀取字）
- 7.5.2.24 READ_VOUT（8Bh，讀取字）
- 7.5.2.25 READ_IOUT（8Ch，讀取字）
- 7.5.2.26 READ_TEMPERATURE_1（8Dh，讀取字）
- 7.5.2.27 READ_POUT（96h，讀取字）
- 7.5.2.28 READ_PIN（97h，讀取字）
- 7.5.2.29 PMBUS_REVISION（98h，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.30 MFR_ID（99h，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.31 MFR_MODEL（9Ah，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.32 MFR_REVISION（9Bh，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.33 USER_DATA（BCh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.34 READ_VIN_MIN（A0h，讀取字）
- 7.5.2.35 READ_VIN_PEAK（A1h，讀取字）
- 7.5.2.36 READ_IIN_PEAK（A2h，讀取字）
- 7.5.2.37 READ_PIN_PEAK (A3h)
- 7.5.2.38 READ_VOUT_MIN（A4h，讀取字）
- 7.5.2.39 READ_TEMP_AVG（C7h，讀取字）
- 7.5.2.40 READ_TEMP_PEAK（C8h，讀取字）
- 7.5.2.41 READ_SAMPLE_BUF（C9h，塊讀取）
- 7.5.2.42 POWER_CYCLE（CAh，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.43 READ_VAUX（D0h，讀取字）
- 7.5.2.44 MFR_READ_IIN（D1h，讀取字）
- 7.5.2.45 MFR_READ_PIN (D2h)
- 7.5.2.46 MFR_IIN_OC_WARN_LIMIT（D3h，F(xiàn)8h，讀取/寫入字）
- 7.5.2.47 MFR_PIN_OP_WARN_LIMIT（D4h，讀取/寫入字）
- 7.5.2.48 CLEAR_PIN_PEAK（D6h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.49 GATE_MASK（D7h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.50 ALERT_MASK（D8h，讀取/寫入字）
- 7.5.2.51 READ_VAUX_AVG（D9h，讀取字）
- 7.5.2.52 BLOCK_READ（DAh，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.53 SAMPLES_FOR_AVG（DBh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.54 READ_VIN_AVG（DCh，讀取字）
- 7.5.2.55 READ_VOUT_AVG（DDh，讀取字）
- 7.5.2.56 READ_IIN_AVG（DEh，讀取字）
- 7.5.2.57 READ_PIN_AVG（DFh，讀取字）
- 7.5.2.58 CLEAR_BB_RAM（E0h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.59 READ_DIAGNOSTIC_WORD（E1h，讀取字）
- 7.5.2.60 AVG_BLOCK_READ（E2h，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.61 BB_ERASE（E3h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.62 BB_CONFIG（E4h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.63 OC_BLANKING_TIMERS（E5h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.64 DELAY_CONFIG（E7h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.65 WD_PLB_ TIMER（E8h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.66 PK_MIN_AVG（E9h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.67 P2t 計(jì)時(shí)器（EAh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.68 FETCH_BB_EEPROM（EBh，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.69 READ_BB_RAM（ECh，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.70 ADC_CONFIG_1（EDh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.71 ADC_CONFIG_2（EEh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.72 DEVICE_SETUP1（CCh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.73 DEVICE_SETUP2（EFh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.74 DEVICE_SETUP3（F0h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.75 DEVICE_SETUP4（CDh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.76 DEVICE_SETUP5（CEh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.77 IIN 偏移校準(zhǔn)（F2h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.78 STATUS_MFR_SPECIFIC_2（F3h，讀取字）
- 7.5.2.79 READ_BB_EEPROM（F4h，塊讀取）
- 7.5.2.80 BB_TIMER（F6h，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.81 PMBUS_ADDR（F7h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.3 讀取和寫入遙測(cè)數(shù)據(jù)和警告閾值
- 7.5.4 通過(guò)線性擬合的經(jīng)驗(yàn)確定遙測(cè)系數(shù)
- 7.5.5 寫入遙測(cè)數(shù)據(jù)
- 7.5.6 PMBus 地址線（ADR0、ADR1、ADR2）
- 7.5.7 SMBA 響應(yīng)
-
8 應(yīng)用和實(shí)施
- 8.1 應(yīng)用信息
- 8.2
典型應(yīng)用
- 8.2.1
54V、100A PMBus 熱插拔設(shè)計(jì)
- 8.2.1.1 設(shè)計(jì)要求
- 8.2.1.2 詳細(xì)設(shè)計(jì)導(dǎo)入程序
- 8.2.1.3 應(yīng)用曲線
- 8.2.1
54V、100A PMBus 熱插拔設(shè)計(jì)
- 8.3 電源相關(guān)建議
- 8.4 布局
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- PWP|28
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- PWP|28
訂購(gòu)信息
7.4.1 上電序列
LM5066Hx 可在 5.5V 至 80V 輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)行，具有 100V 瞬態(tài)電壓能力。在初始上電期間，該器件通過(guò)在 GATEx 和 OUT 引腳之間施加 10mA 下拉電流，防止 MOSFET 意外導(dǎo)通，從而避免米勒電容充電效應(yīng)。計(jì)時(shí)器引腳初始電位為地電平。當(dāng) VIN 達(dá)到上電復(fù)位 (POR) 閾值時(shí)，插入延遲序列開(kāi)始。在此期間，5μA 電流源為外部定時(shí)電容 (CTMR) 充電，而 10mA 下拉將使 MOSFET 保持在關(guān)斷狀態(tài)。此延遲使輸入電壓瞬變能夠在啟用導(dǎo)通器件之前穩(wěn)定下來(lái)。當(dāng)計(jì)時(shí)器引腳達(dá)到 3.9V 時(shí)，插入延遲結(jié)束，此時(shí) CTMR 通過(guò)內(nèi)部 1.5mA 灌電流快速放電。
如果 VIN 在插入延遲后超過(guò) UVLO 閾值，則 GATE1 引腳將通過(guò) 21μA 電流源激活，為 MOSFET 柵極充電。內(nèi)部 16.5V 齊納二極管限制了最大柵源電壓。對(duì)于 LM5066H2，一旦 GATE1 VGS 超過(guò) 8V 且 VDS 降至 2V 以下，GATE2 就會(huì)通過(guò) 130μA 拉電流導(dǎo)通。隨著輸出電壓上升，該器件會(huì)監(jiān)測(cè)流經(jīng) MOSFET 的電流和功率耗散。在浪涌電流或功率限制期間，75μA 故障計(jì)時(shí)器電流為 CTMR 充電。如果在計(jì)時(shí)器達(dá)到 3.9V 之前限制條件得到解決，電流源將關(guān)閉，CTMR 將通過(guò) 2.5μA 灌電流進(jìn)行放電。如果計(jì)時(shí)器在仍處于限制條件下時(shí)達(dá)到 3.9V，則會(huì)將一個(gè)故障置為有效且 GATE1 關(guān)斷。
STATUS_MFR_SPECIFIC 寄存器 (80h) 中的 CONFIG_PRESET 位保持置位狀態(tài)，直到使用 CLEAR_FAULTS 命令清除。一個(gè)可配置的看門狗計(jì)時(shí)器 (10ms 至 10s) 可監(jiān)測(cè)上電進(jìn)度。當(dāng) GATE1 啟用時(shí)，該計(jì)時(shí)器將啟動(dòng)，如果 PGD 未在設(shè)置的持續(xù)時(shí)間內(nèi)置為有效，則會(huì)在 STATUS_MFR_SPECIFIC_2 寄存器中指示 WD 計(jì)時(shí)器故障。該故障可以配置為通過(guò) GATE_MASK 寄存器關(guān)閉 GATE1 和 GATE2。
器件 SMBus 地址由上電時(shí)的 ADR0，ADR1 和 ADR2 引腳狀態(tài)決定，在 VDD 超過(guò)其 4.3V POR 閾值后鎖存?？梢酝ㄟ^(guò)將 VREF 引腳保持為低電平來(lái)延遲地址捕獲，這同時(shí)也會(huì)復(fù)位邏輯并清除運(yùn)行存儲(chǔ)器。釋放后，該地址會(huì)在 VREF 超過(guò) 2.55V 時(shí)鎖存。對(duì)于自定義尋址，可在地址引腳懸空的情況下，通過(guò)編程 PMBUS_ADDR 寄存器來(lái)覆蓋硬件設(shè)置的地址。
圖 7-3 上電序列（僅限電流限制）