ZHCSZ22A October 2025 – December 2025 LM5066H
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3 特性說明
- 7.4 器件功能模式
- 7.5
編程
- 7.5.1 PMBus 命令支持
- 7.5.2
PMBus 命令的詳細(xì)說明
- 7.5.2.1 操作（01h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.2 CLEAR_FAULTS（03h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.3 WRITE_PROTECT（10h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.4 RESTORE_FACTORY_DEFAULTS（12h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.5 STORE_USER_ALL（15h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.6 RESTORE_USER_ALL（16h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.7 CAPABILITY（19h，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.8 VOUT_UV_WARN_LIMIT（43h，讀取/寫入字）
- 7.5.2.9 OT_FAULT_LIMIT（4Fh，讀取/寫入字）
- 7.5.2.10 OT_WARN_LIMIT（51h，讀取/寫入字）
- 7.5.2.11 VIN_OV_WARN_LIMIT（57h，讀取/寫入字）
- 7.5.2.12 IIN_OC_WARN_LIMIT（5Dh，讀取/寫入字）
- 7.5.2.13 STATUS_BYTE（78h，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.14 STATUS_WORD（79h，讀取字）
- 7.5.2.15 STATUS_VOUT（7Ah，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.16 STATUS_INPUT（7Ch，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.17 STATUS_TEMPERATURE（7Dh，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.18 STATUS_CML（7Eh，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.19 STATUS_OTHER（7Fh，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.20 STATUS_MFR_SPECIFIC (80h)
- 7.5.2.21 READ_EIN（86h，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.22 READ_VIN（88h，讀取字）
- 7.5.2.23 READ_IIN（89h，讀取字）
- 7.5.2.24 READ_VOUT（8Bh，讀取字）
- 7.5.2.25 READ_IOUT（8Ch，讀取字）
- 7.5.2.26 READ_TEMPERATURE_1（8Dh，讀取字）
- 7.5.2.27 READ_POUT（96h，讀取字）
- 7.5.2.28 READ_PIN（97h，讀取字）
- 7.5.2.29 PMBUS_REVISION（98h，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.30 MFR_ID（99h，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.31 MFR_MODEL（9Ah，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.32 MFR_REVISION（9Bh，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.33 USER_DATA（BCh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.34 READ_VIN_MIN（A0h，讀取字）
- 7.5.2.35 READ_VIN_PEAK（A1h，讀取字）
- 7.5.2.36 READ_IIN_PEAK（A2h，讀取字）
- 7.5.2.37 READ_PIN_PEAK (A3h)
- 7.5.2.38 READ_VOUT_MIN（A4h，讀取字）
- 7.5.2.39 READ_TEMP_AVG（C7h，讀取字）
- 7.5.2.40 READ_TEMP_PEAK（C8h，讀取字）
- 7.5.2.41 READ_SAMPLE_BUF（C9h，塊讀取）
- 7.5.2.42 POWER_CYCLE（CAh，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.43 READ_VAUX（D0h，讀取字）
- 7.5.2.44 MFR_READ_IIN（D1h，讀取字）
- 7.5.2.45 MFR_READ_PIN (D2h)
- 7.5.2.46 MFR_IIN_OC_WARN_LIMIT（D3h，F(xiàn)8h，讀取/寫入字）
- 7.5.2.47 MFR_PIN_OP_WARN_LIMIT（D4h，讀取/寫入字）
- 7.5.2.48 CLEAR_PIN_PEAK（D6h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.49 GATE_MASK（D7h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.50 ALERT_MASK（D8h，讀取/寫入字）
- 7.5.2.51 READ_VAUX_AVG（D9h，讀取字）
- 7.5.2.52 BLOCK_READ（DAh，塊讀取）
- 7.5.2.53 SAMPLES_FOR_AVG（DBh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.54 READ_VIN_AVG（DCh，讀取字）
- 7.5.2.55 READ_VOUT_AVG（DDh，讀取字）
- 7.5.2.56 READ_IIN_AVG（DEh，讀取字）
- 7.5.2.57 READ_PIN_AVG（DFh，讀取字）
- 7.5.2.58 CLEAR_BB_RAM（E0h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.59 READ_DIAGNOSTIC_WORD（E1h，讀取字）
- 7.5.2.60 AVG_BLOCK_READ（E2h，塊讀取）
- 7.5.2.61 BB_ERASE（E3h，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.62 BB_CONFIG（E4h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.63 OC_BLANKING_TIMERS（E5h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.64 DELAY_CONFIG（E7h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.65 WD_PLB_ TIMER（E8h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.66 PK_MIN_AVG（E9h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.67 P2t 計時器（EAh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.68 FETCH_BB_EEPROM（EBh，發(fā)送字節(jié)）
- 7.5.2.69 READ_BB_RAM（ECh，塊讀取）
- 7.5.2.70 ADC_CONFIG_1（EDh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.71 ADC_CONFIG_2（EEh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.72 DEVICE_SETUP1（CCh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.73 DEVICE_SETUP2（EFh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.74 DEVICE_SETUP3（F0h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.75 DEVICE_SETUP4（CDh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.76 DEVICE_SETUP5（CEh，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.77 IIN 偏移校準(zhǔn)（F2h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.2.78 STATUS_MFR_SPECIFIC_2（F3h，讀取字）
- 7.5.2.79 READ_BB_EEPROM（F4h，塊讀?。?/a>
- 7.5.2.80 BB_TIMER（F6h，讀取字節(jié)）
- 7.5.2.81 PMBUS_ADDR（F7h，讀取/寫入字節(jié)）
- 7.5.3 讀取和寫入遙測數(shù)據(jù)和警告閾值
- 7.5.4 通過線性擬合的經(jīng)驗確定遙測系數(shù)
- 7.5.5 寫入遙測數(shù)據(jù)
- 7.5.6 PMBus 地址線（ADR0、ADR1、ADR2）
- 7.5.7 SMBA 響應(yīng)
- 8 應(yīng)用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- PWP|28
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- PWP|28
訂購信息
7.3.5 功率限制
LM5066Hx 采用 MOSFET 功率限制功能，可保護外部 FET 不在其安全工作區(qū) (SOA) 外工作。該功能通過測量由 GATE1 驅(qū)動的 MOSFET 的漏源電壓（SENSE 至 OUT）和通過檢測電阻 RSNS（VIN_K 至 SENSE）的漏極電流來監(jiān)測其功率耗散。可以使用 PWR 引腳上的電阻器來設(shè)置功率限制閾值。
當(dāng)功率耗散達到限制閾值時，器件會關(guān)斷 GATE2 并調(diào)制 GATE1 電壓，以調(diào)節(jié)通過 Q1 的電流。在功率限制期間，故障調(diào)節(jié)計時器激活。如果功率限制條件持續(xù)超過 CTMR 電容器設(shè)置的故障超時周期，GATE1 將會關(guān)斷。該事件會設(shè)置 STATUS_INPUT (7Ch) 寄存器中的 IIN_OC 故障位、STATUS_WORD (79h) 寄存器中的 INPUT 位以及 DIAGNOSTIC_WORD (E1h) 寄存器中的 IIN_OC/PFET_OP_FAULT 位。除非通過 ALERT_MASK (D8h) 寄存器禁用，否則 SMBA 引腳也會置為有效。
對于輸入電壓可能會發(fā)生階躍變化（例如 45V 至 55V）的應(yīng)用，該器件包含功率限制消隱模式。在正常運行期間，隨著 VDS 的增加，恒定功率限制曲線中的電流限制閾值會降低。這可能會導(dǎo)致器件在高負(fù)載下的整個故障計時器持續(xù)時間內(nèi)保持功率限制模式，從而可能關(guān)斷 FET。功率限制消隱通過在 VDS 低于 VPLIM,BL 閾值時禁用恒定功率限制型電流折返來解決該問題。這樣就允許更大的電流流動并為輸出電容器充電，同時為負(fù)載提供服務(wù)，從而幫助輸出電壓達到輸入電壓，而無需關(guān)斷 MOSFET。VPLIM,BL 閾值可通過 DEVICE_SETUP4 寄存器的位 0:1 進行配置。
在 VDS 區(qū)域低于 VPLIM,BL 時，由于電流限制折返在功率限制消隱模式下被禁用，F(xiàn)ET 功率耗散將超過 PLIM。此功能僅在穩(wěn)定狀態(tài)下運行（當(dāng) PG = 高電平時），在啟動或重試條件下不可用。為了使 FET 保持在其 SOA 范圍內(nèi)運行，數(shù)字計時器在功率限制消隱模式期間激活。該計時器應(yīng)由設(shè)計人員配置，通常設(shè)置為短于調(diào)節(jié)計時器持續(xù)時間。
該器件針對不同的工作條件提供靈活的配置選項，允許根據(jù)系統(tǒng)要求選擇性啟用 SFT_STRT 至 GATE1 連接、電流限制、功率限制消隱模式、過流消隱和折返電流限制。
圖 7-2 功率限制曲線