ZHCSZ22A October 2025 – December 2025 LM5066H
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
| 引腳名稱 | 引腳編號(hào) | 說明 | |
|---|---|---|---|
LM5066H1 | LM5066H2 | ||
| 外露焊盤 | Pad | Pad | 封裝的裸露焊盤 焊接到接地層以降低熱阻 |
| OUT | 1 | 13 | 輸出反饋 連接至輸出電源軌(外部 MOSFET 源極)。在內(nèi)部用于確定 MOSFET VDS 電壓,以實(shí)現(xiàn)功率限制并監(jiān)控輸出電壓。 |
| GATE1 | 2 | 14 | 柵極驅(qū)動(dòng)輸出 連接至外部 MOSFET 的柵極。連接至 LM5066H2 的單個(gè)強(qiáng)大 SOA MOSFET 柵極 |
| SENSE | 3 | 16 | 電流檢測(cè)輸入 電流檢測(cè)電阻 (RSNS) 上的電壓通過 VIN_K 至該引腳進(jìn)行測(cè)量。如果 RSNS 上的電壓達(dá)到過流閾值,則負(fù)載電流會(huì)受到限制,并且故障計(jì)時(shí)器激活。 |
| VIN_K | 4 | 17 | 正電源開爾文引腳 輸入電壓在該引腳上測(cè)量。 |
| VIN | 5 | 18、19、20 | 正電源輸入 該引腳是器件的輸入電源連接??梢栽?VIN 及輸入電源之間連接一個(gè) 10Ω 電阻器。在該引腳與地之間連接一個(gè) 100nF 的電容器,用于旁路。 |
| N/C | 6 | - | 無連接 |
| UVLO/EN | 7 | 21 | 欠壓鎖定 通過來自系統(tǒng)輸入電壓的外部電阻分壓器,可設(shè)置欠壓導(dǎo)通閾值。 |
| OVLO | 8 | 22 | 過壓鎖定 通過來自系統(tǒng)輸入電壓的外部電阻分壓器,可設(shè)置過壓關(guān)斷閾值。 |
| AGND | 9 | 23 | 電路接地 模擬器件接地。在此引腳上連接至 GND。 |
| GND | 10 | 9、15、24、35 | 電路接地 |
| SDAI | 11 | 25 | SMBus 數(shù)據(jù)輸入引腳 SMBus 的數(shù)據(jù)輸入引腳。如果應(yīng)用不需要單向隔離器件,則連接至 SDAO。 |
| SDAO | 12 | 26 | SMBus 數(shù)據(jù)輸出引腳 SMBus 的數(shù)據(jù)輸出引腳。如果應(yīng)用不需要單向隔離器件,則連接至 SDAI。 |
| SCL | 13 | 27 | SMBus 時(shí)鐘 SMBus 的時(shí)鐘引腳 |
| SMBA | 14 | 28 | SMBus 警報(bào)線路 SMBus 警報(bào)引腳,低電平有效 |
| VREF | 15 | 29 | 內(nèi)部基準(zhǔn) 內(nèi)部生成的精密基準(zhǔn)電壓,用于模數(shù)轉(zhuǎn)換。在該引腳與地之間連接一個(gè) 1μF 的電容器,用于旁路。 |
| DIODE | 16 | 30 | 外部二極管 將其連接至二極管配置的 MMBT3904 NPN 晶體管,以進(jìn)行溫度監(jiān)測(cè)。 |
| VAUX | 17 | 31 | 輔助電壓輸入 輔助引腳允許從外部源進(jìn)行電壓遙測(cè)。滿量程輸入為 2.97V。 |
| ADR2 | 18 | 32 | SMBUS 地址線 2 三態(tài)地址線。應(yīng)連接至 GND、VDD,或保持懸空。 |
| ADR1 | 19 | 33 | SMBUS 地址線 1 三態(tài)地址線。應(yīng)連接至 GND、VDD,或保持懸空。 |
| ADR0 | 20 | 34 | SMBUS 地址線 0 三態(tài)地址線。應(yīng)連接至 GND、VDD,或保持懸空。 |
| VDD | 21 | 1 | 內(nèi)部子穩(wěn)壓器輸出 內(nèi)部子穩(wěn)壓 4.85V 輔助電源。在該引腳與地之間連接一個(gè) 1μF 的電容器,用于旁路。 |
| CL | 22 | 2 | 電流限制范圍 將此引腳連接至 GND 或保持懸空,以將標(biāo)稱過流閾值設(shè)置為 50mV。將 CL 連接至 VDD 會(huì)將過流閾值設(shè)置為 25mV。 |
| FB | 23 | 3 | 電源正常反饋 來自輸出端的外部電阻分壓器設(shè)置 PGD 引腳切換的輸出電壓。 |
SYNC | - | 4 | 并聯(lián)控制器的同步導(dǎo)通和關(guān)斷 |
| RETRY | 24 | 5 | 故障重試輸入 該引腳配置上電故障重試行為。當(dāng)該引腳連接至 GND 或保持懸空時(shí),器件將在故障期間持續(xù)嘗試通電。如果該引腳連接至 VDD,則器件將在故障期間閉鎖。 |
| 計(jì)時(shí)器 | 25 | 6 | 計(jì)時(shí)電容器 連接至此引腳的外部電容器用于設(shè)置插入延時(shí)時(shí)間,故障超時(shí)周期和重啟時(shí)序。 |
| PWR | 26 | 7 | 功率限制設(shè)置 連接至該引腳的外部電阻,與電流檢測(cè)電阻 (RSNS) 一起,設(shè)置外部串聯(lián)導(dǎo)通 MOSFET 中允許的最大功率耗散。 |
IMON | 27 | 8 | 負(fù)載電流監(jiān)測(cè)器 需要在該引腳和 GND 之間連接一個(gè)外部電阻器。IMON 引腳輸出與負(fù)載電流成比例的電流。 |
| PGD | 28 | 10 | 電源正常指示器 開漏輸出。當(dāng) FB 引腳上的電壓高于 VFBTH 和 VGS1、VGS2 為高電平時(shí),該輸出為高電平。 |
SFT_STRT | - | 11 | 軟啟動(dòng)電容器斷開 用于限制浪涌電流的 dv/dt 電容器 (Cdvdt) 必須從該引腳連接至 GND 在啟動(dòng)/重試期間內(nèi)部開關(guān)將 Cdvdt 連接至 GATE1。成功啟動(dòng)后,Cdvdt 電容器連接至 OUT |
GATE2 | - | 12 | GATE2 驅(qū)動(dòng)輸出 連接至外部低 RDS(ON) MOSFET 柵極。 |