ZHCSLM0B May 2020 – December 2025 LMK5B12204
PRODUCTION DATA
EEPROM 陣列是直接從 SRAM 陣列映射的非易失性存儲器。
將寄存器設(shè)置寫入 SRAM 后(通過方法 1 或 2),可以按照以下順序?qū)?EEPROM 進行編程:
下次上電或硬復(fù)位時,器件可以使用新編程的配置在 EEPROM 模式下自啟動。此外,NVMCNT 寄存器值在上電或硬復(fù)位后會遞增 1,以反映成功完成的 EEPROM 編程周期總數(shù)。