可以按以下順序逐字讀取 SRAM 的內(nèi)容，從請求的地址開始。在 EEPROM 編程周期內(nèi)，此序列可用于在將 SRAM 傳輸?shù)?EEPROM 之前驗證 SRAM 的內(nèi)容。
- 將 SRAM 地址的五個最高有效位寫入到 R159（MEMADR 字節(jié) 1），并將 SRAM 地址的八個最低有效位寫入到 R160（MEMADR 字節(jié) 0）。
- 讀取 R162（RAMDAT 字節(jié)）以從同一個寄存器事務(wù)中的上一步所指定的地址提取 SRAM 數(shù)據(jù)字節(jié)。
- 同一個事務(wù)中的任何額外讀取傳輸都會導(dǎo)致 SRAM 地址自動遞增，隨后的讀取發(fā)生在下一個 SRAM 地址。
- 從 R162 傳輸?shù)淖止?jié)或塊讀取可用于從字節(jié) 0 至 252 按順序讀取整個 SRAM 映射。
- 對 SRAM 的訪問在當(dāng)前寄存器事務(wù)結(jié)束時終止。