ZHCSZ40A June 2025 – October 2025 DLPC6422
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
-
5 規(guī)格
- 5.1 絕對(duì)最大額定值
- 5.2 建議運(yùn)行條件
- 5.3 熱性能信息
- 5.4 電氣特性
- 5.5 ESD 等級(jí)
- 5.6 系統(tǒng)振蕩器時(shí)序要求
- 5.7 測(cè)試和復(fù)位時(shí)序要求
- 5.8 JTAG 接口：I/O 邊界掃描應(yīng)用時(shí)序要求
- 5.9 端口 1 輸入像素時(shí)序要求
- 5.10 端口 3 輸入像素接口（通過(guò) GPIO）時(shí)序要求
- 5.11 DMD LVDS 接口時(shí)序要求
- 5.12 同步串行端口 (SSP) 接口時(shí)序要求
- 5.13 可編程輸出時(shí)鐘開(kāi)關(guān)特性
- 5.14 同步串行端口接口 (SSP) 開(kāi)關(guān)特性
- 5.15 JTAG 接口：I/O 邊界掃描應(yīng)用開(kāi)關(guān)特性
- 6 詳細(xì)說(shuō)明
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- ZPC|516
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
7.2.1.1 建議的 MOSC 晶體振蕩器配置
表 7-1 晶體端口特性
| 參數(shù) | 標(biāo)稱(chēng)值 | 單位 |
|---|---|---|
| MOSC 至地的電容 | 1.5 | pF |
| MOSCZ 至地的電容 | 1.5 | pF |
表 7-2 建議晶體配置
| 參數(shù) | 推薦 | 單位 |
|---|---|---|
| 晶體電路配置 | 并聯(lián)諧振 | |
| 晶體類(lèi)型 | 基波（一次諧波） | |
| 晶體標(biāo)稱(chēng)頻率 | 20 | MHz |
| 晶體頻率溫度穩(wěn)定性 | ±30 | PPM |
| 整體晶體頻率容差（包括精度、穩(wěn)定性、老化和修整靈敏度） | ±100 | PPM |
| 晶體等效串聯(lián)電阻器 (ESR) | 50（最大值） | Ω |
| 晶體負(fù)載 | 20 | pF |
| 晶體并聯(lián)負(fù)載 | 7（最大值） | pF |
| RS 驅(qū)動(dòng)電阻器（標(biāo)稱(chēng)值） | 100 | Ω |
| RFB 反饋電阻器（標(biāo)稱(chēng)值） | 1 | MΩ |
| CL1 外部晶體負(fù)載電容器 (MOSC) | 請(qǐng)參閱(1)。 | pF |
| CL2 外部晶體負(fù)載電容器 (MOSCN) | 請(qǐng)參閱(1)。 | pF |
| PCB 布局 | 建議在晶體周?chē)O(shè)置接地隔離環(huán)。 |
(1) 使用 XSA020000FK1H-OCX 晶體時(shí)的典型驅(qū)動(dòng)電平 (ESRmax = 40Ω) = 50μW
圖 7-3 建議的晶體振蕩器配置通常，外部晶體振蕩器會(huì)在施加穩(wěn)定電源后 50ms 內(nèi)達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)。