集成式 48V 驅(qū)動(dòng)器不僅具有降低復(fù)雜性等優(yōu)勢(shì)，而且尺寸與傳統(tǒng) 12V 柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)施對(duì)比揭示了有趣的權(quán)衡取舍。

集成式驅(qū)動(dòng)器：集成式 48V 驅(qū)動(dòng)器通常將最終驅(qū)動(dòng)器級(jí) MOSFET 及其柵極驅(qū)動(dòng)電路集成到一個(gè)封裝中。當(dāng) RDS(on)（導(dǎo)通狀態(tài)電阻）值較低時(shí)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的封裝尺寸和裸片成本會(huì)顯著增加。因此，與 12V 柵極驅(qū)動(dòng)器加外部 MOSFET 的實(shí)施相比，由于電流要求較低，48V 驅(qū)動(dòng)器提供類似的功率能力時(shí)占用的電路板面積更小。

縮小 48V 驅(qū)動(dòng)器封裝以利用更小裸片尺寸的一個(gè)限制是，48V 信號(hào)與其他信號(hào)之間物理隔離的要求的距離比 12V 信號(hào)的距離更遠(yuǎn)。這些爬電距離和間隙規(guī)格約束了 48V 驅(qū)動(dòng)器封裝的最小尺寸，而無(wú)視因驅(qū)動(dòng)電流較低導(dǎo)致的裸片尺寸縮減。

柵極驅(qū)動(dòng)器和外部 FET：傳統(tǒng)的 12V 柵極驅(qū)動(dòng)器與外部 MOSFET 相結(jié)合，雖然對(duì)于給定的 RDS(on) 而言可能會(huì)占用更多布板空間，但允許更靈活地為應(yīng)用選擇首選外部 FET，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的 RDS(on) 和更好的熱性能。因此，設(shè)計(jì)人員在評(píng)估從 12V 轉(zhuǎn)換到 48V 的優(yōu)缺點(diǎn)時(shí)，必須考慮這一因素。