ZHDA056 February 2026 DRV8163-Q1 , DRV8263-Q1 , LM61495-Q1 , LM70880-Q1 , LM74500-Q1 , LMR36503-Q1 , MCF8329A-Q1 , TLIN4029A-Q1
4.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示 PWM 期間壓擺率對(duì)晶體管溫度的影響
實(shí)驗(yàn)結(jié)果支持 12V 和 48V 電源條件下壓擺率與熱功率耗散之間的理論關(guān)系。測(cè)試條件是 PWM 開(kāi)關(guān)頻率為 20kHz，占空比為 50%。12V 器件的負(fù)載為 3Ω，與 1mH 電感串聯(lián)，仿真在 24W 下運(yùn)行的電機(jī)。對(duì)于 48V 器件，負(fù)載為 48Ω，與 1mH 電感串聯(lián)，同樣仿真在 24W 下運(yùn)行的電機(jī)。得到的測(cè)量結(jié)果如表 4-1 所示，并在圖 4-4 中繪制。
表 4-1 溫升與壓擺率的實(shí)驗(yàn)測(cè)量結(jié)果
| 器件 | (V) | 壓擺率設(shè)置 (V/us) | 溫升 (C) |
|---|---|---|---|
| DRV8245 | 12 | 20 | 13.5 |
| DRV8245 | 12 | 26 | 12.7 |
| DRV8245 | 12 | 50 | 7.8 |
| DRV8263 | 48 | 19 | 30.8 |
| DRV8263 | 48 | 94 | 14.6 |
| DRV8263 | 48 | 180 | 12.7 |
圖 4-4 器件溫升與壓擺率間的關(guān)系（12V 和 48V 器件）圖 4-5 中的熱成像圖展示了電源電壓、壓擺率與溫升之間的關(guān)系。電源電壓為 12V 且壓擺率為 20V/us 時(shí)，溫升約為 9C。在相同的壓擺率下，48V 電源的溫升約為 24C。為降低溫升，可以增加 48V 電源的壓擺率；在這種情況下，180V/us 的壓擺率可提供與電源電壓為 12V 且壓擺率為 20V/us 時(shí)相同的溫升。
圖 4-5 驅(qū)動(dòng)器溫度比較（48V 和 12V）這些測(cè)量的條件如表 4-2 所示。
表 4-2 熱性能和 EMC 測(cè)量的測(cè)試條件
| 器件 | 占空比 | 頻率 | VM | 負(fù)載 |
|---|---|---|---|---|
| DRV8245-Q1 VQFN-HR | 50% | 20kHz | 12V | 3? + 1mH |
| DRV8263-Q1 VQFN-HR | 50% | 20kHz | 48V | 48? + 1mH |