ZHDA026 January 2026 BZX84C15V
雖然齊納二極管的特性有限,但每種二極管都會(huì)對(duì)系統(tǒng)產(chǎn)生影響。您已經(jīng)了解了所有這些參數(shù),以下部分重點(diǎn)介紹了三個(gè)參數(shù),闡述其重要意義,以此舉例說(shuō)明 TI 的齊納二極管何以在 齊納二極管市場(chǎng)中脫穎而出。
直流電壓調(diào)節(jié)是齊納二極管的一個(gè)非常典型的用例,如前所述,總功率耗散 PD 會(huì)隨著您從各種可用封裝中的選擇而變化。通過(guò)優(yōu)化齊納 PD,可以讓更高的齊納電流通過(guò)二極管,同時(shí)仍精確調(diào)節(jié)受保護(hù)線路上的齊納電壓。有幾個(gè)因素會(huì)影響二極管的最大功耗,例如焊盤(pán)布局的尺寸,焊盤(pán)可以作為齊納二極管的散熱器。然而,在二極管內(nèi)部,正確設(shè)計(jì)的引線框至關(guān)重要,因?yàn)闊嵝阅艿念愃圃蚺c PD 直接相關(guān)。除了設(shè)計(jì)之外,引線框的材料組成還有助于提高功率耗散性能。TI 采用流行的 SOT-23 封裝的齊納管對(duì)這兩個(gè)變量進(jìn)行了優(yōu)化,使 BZX84Cx 系列齊納管實(shí)現(xiàn)了業(yè)界卓越的功率耗散。如下面的表 4-1 所示,TI 的 SOT-23 齊納二極管的功率級(jí)別在類似封裝中躋身行業(yè)前列,并且還可實(shí)現(xiàn)較大封裝(如 SOD123)中的 PD 級(jí)別。請(qǐng)參閱為何在大功率應(yīng)用中使用 TI 齊納二極管,了解詳情,以及如何在各種應(yīng)用中改進(jìn)客戶系統(tǒng)。
| TI | 競(jìng)品 A | 競(jìng)品 B | 競(jìng)品 C | |
|---|---|---|---|---|
| PD | 430mW | 300mW | 250mW | 370mW |
| 封裝 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOD123 |
| 主體面積 | 3.8mm2 | 3.8mm2 | 3.8mm2 | 4.8mm2 |
VZ 的齊納穩(wěn)定性最終是齊納二極管在所有應(yīng)用和用例中最關(guān)鍵的性能指標(biāo)。我們此前已在本應(yīng)用手冊(cè)中了解到,VZ 在給定齊納電流 IZ 下定義,對(duì)于大多數(shù)通用齊納二極管,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定 VZ 所需的電流處在毫安范圍內(nèi)。對(duì)于壁式供電的大多數(shù)終端設(shè)備,此電流大小很容易實(shí)現(xiàn),但對(duì)于電池供電類電子設(shè)備,IZ 最好在微安范圍內(nèi)。在這些低齊納電流條件下,通用齊納管可能會(huì)變得不穩(wěn)定,并導(dǎo)致齊納電壓出現(xiàn)較高波動(dòng)。用戶在這些條件下觀察到的現(xiàn)象稱為“齊納噪聲”現(xiàn)象,即二極管進(jìn)入和退出雪崩擊穿,從而導(dǎo)致電壓調(diào)節(jié)不穩(wěn)定。圖 4-1 展示了這種不穩(wěn)定性的示例,其中競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的齊納二極管在該低電流負(fù)載條件下表現(xiàn)出高振鈴。不過(guò),TI 的齊納二極管經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)和制造,即使在 IZ 電流低至 50μA 時(shí)也能盡可能地降低這種不穩(wěn)定性,因此它們成為許多電池供電應(yīng)用和一般電壓調(diào)節(jié)的首選。低噪聲齊納二極管應(yīng)用手冊(cè)對(duì)此進(jìn)行了更詳細(xì)的說(shuō)明。
圖 4-1 TI 的 BZX84C8V2 與競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品在 500μA IZ 下的比較設(shè)計(jì)人員還需要注意的一個(gè)參數(shù)是反向漏電流 IR。如本文前面所述,它定義了二極管的靜態(tài)電流,較高的 IR 會(huì)轉(zhuǎn)化為不必要的功率損耗。在許多情況下,TI 齊納二極管的 IR 是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手齊納二極管的一半,因此對(duì)于給定的線路電壓,與功率損耗的一半成正比。下面的表 2 顯示了這種比較。在電池供電型應(yīng)用中,最大限度地減少漏電對(duì)于延長(zhǎng)電池壽命始終至關(guān)重要。此外,如果這些電池長(zhǎng)時(shí)間存放在倉(cāng)庫(kù)中并處于高溫狀態(tài),功率損耗會(huì)增加,選擇 TI 的低漏電二極管將變得更加重要。
| 參數(shù) | TI | 競(jìng)品 A | 競(jìng)品 B | 競(jìng)品 C |
|---|---|---|---|---|
| VZ | 15V | 15V | 15V | 15V |
| 封裝 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| IR 漏電流 | 30nA | 50nA | 50nA | 100nA |