ZHDA026 January 2026 BZX84C15V
3.1.1 晶圓制造
通過將 p 型摻雜劑擴散到 n 型基板可以在晶圓中制造 PN 二極管，反之亦然。圖 3-1 展示了從 n 型基板 (i) 開始的簡單晶圓制造流程。接下來，可以沉積一個可選的 n 型層，以控制與基板 (ii) 不同的 n 層的電阻率。p 型層可通過摻雜劑直接擴散法或通過 (iii) 中所示的離子注入法制備而成。通常，光掩模用于通過光刻法有選擇地定義 p 型區(qū)域。最后，金屬觸點沉積在 p 型和 n 型區(qū)域，以完成晶圓制造。將觸點保持在晶圓的頂部和底部，如 (iv) 所示，可提供垂直 PN 二極管，而將晶圓頂部的 n 型層通過 n+ 區(qū)域接觸可產(chǎn)生橫向 PN 二極管。通常，分立式二極管產(chǎn)品中使用垂直二極管以提高成本和工作面積的利用率，而橫向二極管適用于集成電路，以便于布線以及與 CMOS 或模擬集成設計互連。p 型和 n 型區(qū)域、掩模布局和器件幾何形狀的工藝參數(shù)經(jīng)過精心設計，可達到穩(wěn)定的擊穿電壓、更低的漏電流和更低的電容。
圖 3-1 簡單 p-n 二極管制造流程