ZHDA026 January 2026 BZX84C15V
在本例中,我們選擇齊納二極管來防止超過增強模式 N 溝道 MOSFET 的柵源最大額定電壓。在 1A 最大負(fù)載電流條件下,輸入電壓為 12V。所選的 MOSFET Q1 為 CSD16401Q5。MOSFET 數(shù)據(jù)表中指定了用于導(dǎo)通的 1.5V 典型閾值電壓 (Vgs,th)。絕對最大額定柵源電壓 (Vgs) 指定為 16V,因此我們必須將柵極電壓限制在 16V 以下。為了提供足夠的設(shè)計裕度,選擇了 8.2V 的標(biāo)稱齊納電壓。所選的 D1 齊納二極管為 BZX84WC8V2,如圖 6-5 所示。與上面的電壓調(diào)節(jié)應(yīng)用示例類似,應(yīng)當(dāng)計算最大功率耗散以確保不超過封裝額定值。
圖 6-5 MOSFET 柵極過壓鉗位最終電路