ZHCSMS6B November 2020 – September 2021 TPS25858-Q1 , TPS25859-Q1
PRODUCTION DATA
對電感器電流的峰值和谷值都施加了降壓穩(wěn)壓器逐周期電流限制。
高側(cè) MOSFET 過流保護是通過峰值電流模式控制的特性來實現(xiàn)的。當高側(cè)開關(guān)在既定消隱時間后打開時,將感測高側(cè)開關(guān)電流。每個開關(guān)周期內(nèi),高側(cè)開關(guān)電流將與誤差放大器 (EA) 減去斜坡補償?shù)妮敵鲞M行比較。高側(cè)開關(guān)的電流峰值受最大鉗位峰值電流閾值 IHS_LIMIT(恒定值)限制。高側(cè)開關(guān)的峰值電流限制不受斜率補償影響,在整個占空比范圍內(nèi)保持恒定。
此外,還將對流經(jīng)低側(cè) MOSFET 的電流進行感測和監(jiān)控。當?shù)蛡?cè)開關(guān)導(dǎo)通時,電感電流開始下降。開關(guān)周期結(jié)束時,如果低側(cè)開關(guān)的電流高于 低側(cè)電流限值 ILS_LIMIT,則低側(cè)開關(guān)不會關(guān)閉。低側(cè)開關(guān)保持導(dǎo)通,從而使電感器電流不斷下降,直到電感器電流低于低側(cè)電流限值 ILS_LIMIT。然后,低側(cè)開關(guān)關(guān)閉,高側(cè)開關(guān)在經(jīng)過死區(qū)時間之后開啟。該操作與更為典型的峰值限流稍有不同,其最大負載電流可通過Equation10 計算得出。
