ZHCSZ90 November 2025 LM51251A-Q1
PRODUCTION DATA
如果結(jié)溫 (TJ) 超過 TTSD-RISING 閾值,內(nèi)部熱關(guān)斷 (TSD) 功能可以通過禁用 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器和 VCC 穩(wěn)壓器來保護(hù)器件。當(dāng)結(jié)溫 (TJ) 通過 TTSD-HYS 遲滯降低后,器件將根據(jù) 功能狀態(tài)圖 繼續(xù)運(yùn)行。
當(dāng)設(shè)備在接近熱關(guān)機(jī)的情況下運(yùn)行時(shí),將設(shè)置熱關(guān)機(jī)警告標(biāo)志(請(qǐng)參閱寄存器狀態(tài)字節(jié) (0x5))。