ZHCSZ90 November 2025 LM51251A-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
-
6 詳細(xì)說(shuō)明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說(shuō)明
- 6.3.1 器件配置（CFG 引腳）
- 6.3.2 器件和相位啟用/禁用（UVLO/EN、EN2）
- 6.3.3 雙器件運(yùn)行
- 6.3.4 開(kāi)關(guān)頻率和同步 (SYNCIN)
- 6.3.5 雙隨機(jī)展頻 (DRSS)
- 6.3.6 運(yùn)行模式（BYPASS、DEM、FPWM）
- 6.3.7 VCC 穩(wěn)壓器，BIAS（BIAS 引腳、VCC 引腳）
- 6.3.8 軟啟動(dòng)（SS 引腳）
- 6.3.9 VOUT 編程（VOUT、ATRK、DTRK）
- 6.3.10 保護(hù)功能
- 6.3.11 故障指示器（nFAULT 引腳）
- 6.3.12 斜率補(bǔ)償（CSP1、CSP2、CSN1、CSN2）
- 6.3.13 電流檢測(cè)設(shè)置和開(kāi)關(guān)峰值電流限制（CSP1、CSP2、CSN1、CSN2）
- 6.3.14 輸入電流限制和監(jiān)測(cè)（ILIM、IMON、DLY）
- 6.3.15 最大占空比和最小可控導(dǎo)通時(shí)間限制
- 6.3.16 信號(hào)抗尖峰脈沖概述
- 6.3.17 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器、集成式自舉二極管和斷續(xù)模式故障保護(hù)（LOx、HOx、HBx 引腳）
- 6.3.18 I2C 特性
- 6.4 器件功能模式
- 6.5 編程
- 7 LM51251A-Q1 寄存器
-
8 應(yīng)用和實(shí)施
- 8.1 應(yīng)用信息
- 8.2
典型應(yīng)用
- 8.2.1 設(shè)計(jì)要求
- 8.2.2
詳細(xì)設(shè)計(jì)過(guò)程
- 8.2.2.1 確定相位總數(shù)
- 8.2.2.2 確定占空比
- 8.2.2.3 定時(shí)電阻器 RT
- 8.2.2.4 電感器選型 Lm
- 8.2.2.5 電流檢測(cè)電阻器 (RCS)
- 8.2.2.6 電流檢測(cè)濾波器 RCSFP、RCSFN、CCS
- 8.2.2.7 低側(cè)電源開(kāi)關(guān) QL
- 8.2.2.8 高側(cè)電源開(kāi)關(guān) QH
- 8.2.2.9 緩沖組件
- 8.2.2.10 Vout 編程
- 8.2.2.11 輸入電流限制 (ILIM/IMON)
- 8.2.2.12 UVLO 分壓器
- 8.2.2.13 軟啟動(dòng)
- 8.2.2.14 CFG 設(shè)置
- 8.2.2.15 輸出電容器 Cout
- 8.2.2.16 輸入電容器 Cin
- 8.2.2.17 自舉電容器
- 8.2.2.18 VCC 電容器 CVCC
- 8.2.2.19 BIAS 電容器
- 8.2.2.20 VOUT 電容器
- 8.2.2.21 環(huán)路補(bǔ)償
- 8.2.3 應(yīng)用曲線
- 8.3 電源相關(guān)建議
- 8.4 布局
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHB|32
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHB|32
訂購(gòu)信息
6.3.10 保護(hù)功能
該器件實(shí)現(xiàn)了以下保護(hù)。圖 6-19 展示了在 功能狀態(tài)圖 的哪種狀態(tài)下，保護(hù)處于活動(dòng)狀態(tài)。對(duì)于具有相同灰色陰影的灰色陰影狀態(tài)，該保護(hù)處于活動(dòng)狀態(tài)，例如 TSD 在待機(jī)狀態(tài)（包括熱關(guān)斷狀態(tài)）下處于活動(dòng)狀態(tài)，但不處于 故障狀態(tài)。
- 熱關(guān)斷 (TSD) 會(huì)在高溫下關(guān)閉器件。
- 欠壓鎖定 (UVLO) 會(huì)在低電源電壓下關(guān)閉器件。
- VCC 欠壓鎖定 (VCC UVLO) 避免了低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器電壓過(guò)低。器件會(huì)停止開(kāi)關(guān)，直到 VCC 恢復(fù)。
- HBx 欠壓鎖定 (HBx UVLO) 可避免高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器電壓過(guò)低。器件啟動(dòng)刷新脈沖（512 個(gè)周期斷續(xù)模式關(guān)斷時(shí)間）。有關(guān)詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱MOSFET 驅(qū)動(dòng)器、集成式自舉二極管和斷續(xù)模式故障保護(hù)（LOx、HOx、HBx 引腳）。
- 過(guò)壓保護(hù) (OVP) 實(shí)現(xiàn)了兩個(gè) OVP：
- OVPmax，它是可編程的絕對(duì)值（通常為 64V、50V、35V 或 28.5V）。觸發(fā)后，器件會(huì)停止開(kāi)關(guān)并進(jìn)入故障狀態(tài) (OVP_MAX_LATCH = 1) 或停止開(kāi)關(guān)，直到 VOUT 重新回到目標(biāo)位置 (OVP_MAX_LATCH = 0)。
- OVP，在 VOUT 為編程值的 110% 時(shí)觸發(fā)。觸發(fā)后，器件停止開(kāi)關(guān)，直到 VOUT 恢復(fù)到目標(biāo)值。
- 欠壓保護(hù) (UVP) 被觸發(fā)時(shí)，器件會(huì)繼續(xù)運(yùn)行，但會(huì)將 nFAULT 引腳拉至低電平。
- 峰值電流限制 (PCL)，限制開(kāi)關(guān)峰值電流。有關(guān)詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱電流檢測(cè)設(shè)置和開(kāi)關(guān)峰值電流限制（CSP1、CSP2、CSN1、CSN2）。
- 輸入電流限制 (ICL)，將開(kāi)關(guān)峰值電流限制為峰值電流限制的 120%。此保護(hù)通過(guò) ICL_latch 編程來(lái)啟用和禁用。
- 平均輸入電流限制 (ILIM)，通過(guò) RILIM 將平均輸入電流限制為編程的值。有關(guān)詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱輸入電流限制和監(jiān)測(cè)（ILIM、IMON、DLY）。
圖 6-19 保護(hù)功能