ZHCSZ90 November 2025 LM51251A-Q1
PRODUCTION DATA
HBx 和 SWx 引腳間的自舉電容器提供柵極電流,在每個導(dǎo)通周期中為高側(cè) MOSFET 器件柵極供電,并為自舉二極管提供恢復(fù)電荷。這些電流峰值可達(dá)到幾安培。建議使用 0.1μF 的自舉電容器。為 CBST 使用高質(zhì)量、低 ESR 的陶瓷電容器。為了盡可能地減少布線電感導(dǎo)致的潛在破壞性電壓瞬變,應(yīng)將 CBST 靠近器件引腳放置。自舉電容器的最小值計算如下,
其中
在此示例中,自舉電容器 (CBST) 的值為 0.1μF。