ZHCSZ90 November 2025 LM51251A-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
-
6 詳細(xì)說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說明
- 6.3.1 器件配置（CFG 引腳）
- 6.3.2 器件和相位啟用/禁用（UVLO/EN、EN2）
- 6.3.3 雙器件運(yùn)行
- 6.3.4 開關(guān)頻率和同步 (SYNCIN)
- 6.3.5 雙隨機(jī)展頻 (DRSS)
- 6.3.6 運(yùn)行模式（BYPASS、DEM、FPWM）
- 6.3.7 VCC 穩(wěn)壓器，BIAS（BIAS 引腳、VCC 引腳）
- 6.3.8 軟啟動(dòng)（SS 引腳）
- 6.3.9 VOUT 編程（VOUT、ATRK、DTRK）
- 6.3.10 保護(hù)功能
- 6.3.11 故障指示器（nFAULT 引腳）
- 6.3.12 斜率補(bǔ)償（CSP1、CSP2、CSN1、CSN2）
- 6.3.13 電流檢測設(shè)置和開關(guān)峰值電流限制（CSP1、CSP2、CSN1、CSN2）
- 6.3.14 輸入電流限制和監(jiān)測（ILIM、IMON、DLY）
- 6.3.15 最大占空比和最小可控導(dǎo)通時(shí)間限制
- 6.3.16 信號(hào)抗尖峰脈沖概述
- 6.3.17 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器、集成式自舉二極管和斷續(xù)模式故障保護(hù)（LOx、HOx、HBx 引腳）
- 6.3.18 I2C 特性
- 6.4 器件功能模式
- 6.5 編程
- 7 LM51251A-Q1 寄存器
-
8 應(yīng)用和實(shí)施
- 8.1 應(yīng)用信息
- 8.2
典型應(yīng)用
- 8.2.1 設(shè)計(jì)要求
- 8.2.2
詳細(xì)設(shè)計(jì)過程
- 8.2.2.1 確定相位總數(shù)
- 8.2.2.2 確定占空比
- 8.2.2.3 定時(shí)電阻器 RT
- 8.2.2.4 電感器選型 Lm
- 8.2.2.5 電流檢測電阻器 (RCS)
- 8.2.2.6 電流檢測濾波器 RCSFP、RCSFN、CCS
- 8.2.2.7 低側(cè)電源開關(guān) QL
- 8.2.2.8 高側(cè)電源開關(guān) QH
- 8.2.2.9 緩沖組件
- 8.2.2.10 Vout 編程
- 8.2.2.11 輸入電流限制 (ILIM/IMON)
- 8.2.2.12 UVLO 分壓器
- 8.2.2.13 軟啟動(dòng)
- 8.2.2.14 CFG 設(shè)置
- 8.2.2.15 輸出電容器 Cout
- 8.2.2.16 輸入電容器 Cin
- 8.2.2.17 自舉電容器
- 8.2.2.18 VCC 電容器 CVCC
- 8.2.2.19 BIAS 電容器
- 8.2.2.20 VOUT 電容器
- 8.2.2.21 環(huán)路補(bǔ)償
- 8.2.3 應(yīng)用曲線
- 8.3 電源相關(guān)建議
- 8.4 布局
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHB|32
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHB|32
訂購信息
6.3.2 器件和相位啟用/禁用（UVLO/EN、EN2）
在關(guān)斷期間，UVLO/EN 引腳被內(nèi)部電阻器 REN 拉低。當(dāng) VUVLO/EN 上升至高于 VEN-RISING 時(shí)，REN 被禁用并且 IUVLO/EN（通常為 10μA）電流源會(huì)被啟用，以提供 UVLO 功能。此時(shí)器件啟動(dòng)，讀取配置，然后進(jìn)入 STANDBY 狀態(tài)（請(qǐng)參閱 功能狀態(tài)圖）。當(dāng)器件達(dá)到待機(jī)狀態(tài)時(shí)，I2C 接口會(huì)激活。當(dāng) VUVLO/EN 上升至高于 VUVLO-RISING 時(shí)，IUVLO/EN 電流源會(huì)被禁用，并且器件將進(jìn)入啟動(dòng)階段 1 和 2 狀態(tài)，在 DEM 運(yùn)行模式下執(zhí)行軟啟動(dòng)斜升 VOUT。實(shí)現(xiàn)了遲滯 VEN-HYS 和 VUVLO-HYS。根據(jù) 方程式 1 和 方程式 2 選擇外部 UVLO 電阻分壓器（RUVLOT 和 RUVLOB）。
可通過 I2C 編程覆蓋 UVLO/EN 引腳。UVLO 位選擇是否使用 UVLO/EN 引腳電壓進(jìn)入啟動(dòng)階段 1 和 2 狀態(tài)并且器件開始執(zhí)行開關(guān)操作，或者在 UVLO 設(shè)置為“1”時(shí)，器件是否進(jìn)入啟動(dòng)階段 1 和 2 狀態(tài)。
需要 UVLO 電容器 (CUVLO)，以防在啟動(dòng)期間或在低 VI 下，Vi 瞬間降至 VOFF 以下。如果所需的 UVLO 電容器較大，則可以使用額外的串聯(lián) UVLO 電阻 (RUVLOS)，以便在 IUVLO-HYS 禁用時(shí)快速升高 UVLO 引腳的電壓。
當(dāng) VEN2 上升到高于 VEN2_H 時(shí)，啟用第二個(gè)相位；當(dāng) VEN2下降到低于 VEN2_L 時(shí)，禁用第二個(gè)相位。也可以通過 I2C 將 EN2 位設(shè)置為“1”，來啟用第二個(gè)相位。在啟動(dòng)時(shí)或啟動(dòng)前以及運(yùn)行期間，啟用和禁用第 2 個(gè)相位。第二個(gè)相位相對(duì)于相位 1 存在 180° 相移，以實(shí)現(xiàn)超低的輸入和輸出紋波。
由于 UVLO/EN 引腳和 BIAS 引腳之間的 ESD 二極管導(dǎo)通，因此 UVLO/EN 引腳電壓不得超過 BIAS 引腳電壓 +0.3V（請(qǐng)參閱絕對(duì)最大額定值）。但是，當(dāng)通過一個(gè)串聯(lián)電阻器將電流限制為最大 100μA 時(shí)，可以在 UVLO/EN 引腳上施加一個(gè)更高的電壓，最高可達(dá) 42V（建議運(yùn)行條件）。
圖 6-2 功能方框圖 UVLO 和 EN
圖 6-3 雙相運(yùn)行