ZHCSZ90 November 2025 LM51251A-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
-
6 詳細(xì)說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說明
- 6.3.1 器件配置（CFG 引腳）
- 6.3.2 器件和相位啟用/禁用（UVLO/EN、EN2）
- 6.3.3 雙器件運行
- 6.3.4 開關(guān)頻率和同步 (SYNCIN)
- 6.3.5 雙隨機展頻 (DRSS)
- 6.3.6 運行模式（BYPASS、DEM、FPWM）
- 6.3.7 VCC 穩(wěn)壓器，BIAS（BIAS 引腳、VCC 引腳）
- 6.3.8 軟啟動（SS 引腳）
- 6.3.9 VOUT 編程（VOUT、ATRK、DTRK）
- 6.3.10 保護功能
- 6.3.11 故障指示器（nFAULT 引腳）
- 6.3.12 斜率補償（CSP1、CSP2、CSN1、CSN2）
- 6.3.13 電流檢測設(shè)置和開關(guān)峰值電流限制（CSP1、CSP2、CSN1、CSN2）
- 6.3.14 輸入電流限制和監(jiān)測（ILIM、IMON、DLY）
- 6.3.15 最大占空比和最小可控導(dǎo)通時間限制
- 6.3.16 信號抗尖峰脈沖概述
- 6.3.17 MOSFET 驅(qū)動器、集成式自舉二極管和斷續(xù)模式故障保護（LOx、HOx、HBx 引腳）
- 6.3.18 I2C 特性
- 6.4 器件功能模式
- 6.5 編程
- 7 LM51251A-Q1 寄存器
-
8 應(yīng)用和實施
- 8.1 應(yīng)用信息
- 8.2
典型應(yīng)用
- 8.2.1 設(shè)計要求
- 8.2.2
詳細(xì)設(shè)計過程
- 8.2.2.1 確定相位總數(shù)
- 8.2.2.2 確定占空比
- 8.2.2.3 定時電阻器 RT
- 8.2.2.4 電感器選型 Lm
- 8.2.2.5 電流檢測電阻器 (RCS)
- 8.2.2.6 電流檢測濾波器 RCSFP、RCSFN、CCS
- 8.2.2.7 低側(cè)電源開關(guān) QL
- 8.2.2.8 高側(cè)電源開關(guān) QH
- 8.2.2.9 緩沖組件
- 8.2.2.10 Vout 編程
- 8.2.2.11 輸入電流限制 (ILIM/IMON)
- 8.2.2.12 UVLO 分壓器
- 8.2.2.13 軟啟動
- 8.2.2.14 CFG 設(shè)置
- 8.2.2.15 輸出電容器 Cout
- 8.2.2.16 輸入電容器 Cin
- 8.2.2.17 自舉電容器
- 8.2.2.18 VCC 電容器 CVCC
- 8.2.2.19 BIAS 電容器
- 8.2.2.20 VOUT 電容器
- 8.2.2.21 環(huán)路補償
- 8.2.3 應(yīng)用曲線
- 8.3 電源相關(guān)建議
- 8.4 布局
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHB|32
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHB|32
訂購信息
8.2.2.1 確定相位總數(shù)
交錯運行在高電流應(yīng)用中提供了許多優(yōu)勢，例如提高效率、降低元件應(yīng)力以及減少輸入和輸出紋波。對于雙相交錯運行，輸出功率路徑被拆分，將每個相位的輸入電流減少一半。由于每個通道彼此之間存在 180 度的相位差，因此輸入和輸出電容器中的紋波電流顯著降低。如圖 8-4 所示，輸入電流紋波顯著降低。
圖 8-4 通過雙相交錯降低輸入電流紋波這里為設(shè)計選擇了 2 個相位：
方程式 27.
總功率 Pout_total 在各相位之間共享，每個相位的功率計算如下：
方程式 28.