ZHCUBT6 February 2024
對于易失性存儲器,該 EVM 采用 8GB 的 Micron LPDDR4 存儲器 (MT53E2G32D4DE-046)。32b 接口可支持高達 4000MT/s 的傳輸速率,提供快速的數(shù)據(jù)訪問。雖然 EVM 設(shè)計不被視為參考,但 LPDDR4 設(shè)計部分(原理圖和 PCB 設(shè)計)可被視為參考,客戶在實現(xiàn)設(shè)計時必須遵循。
為了獲得快速引導(dǎo)選項,EVM 采用了兩種不同的串行閃存存儲技術(shù)。Cypress (S28HS512TGABHM010) 提供 512Mb 八通道 xSPI 閃存,支持高達 166MB/s (SDR) 和 400MB/s (DDR) 的數(shù)據(jù)速率。Winbond (W35N01JWTBAG) 提供 1Gb 八通道 NAND 閃存,支持高達 166MB/s (SDR) 和 240MB/s (DDR) 的數(shù)據(jù)速率。這些存儲設(shè)備共享同一個處理器接口,不能同時使用。有關(guān)如何選擇每種器件的詳細信息,請參閱節(jié) 2.4.2和節(jié) 2.7.4。
對于大容量存儲選項,EVM 同樣支持兩個不同的存儲器選項??刹鹦恫考?a xmlns:opentopic="http://www.idiominc.com/opentopic" class="xref" href="GUID-8A82ED2F-A505-4E56-B746-CCB70E80BF0A.html">節(jié) 2.5.5)支持數(shù)據(jù)速率高達 UHS-I (104MB/s) 的外部存儲卡。對于板載存儲,Micron (MTFC32GAZAQHD-IT) 提供 32Gb,支持高達 200MB/s (HS200) 和 400MB/s (HS400) 的數(shù)據(jù)速率。