• 總輸出功率 Po = (Vo + Vrl + Vd) Io

  其中，	Vo = 輸出電壓
  	Vrl = 繞組電阻引起的壓降
  	Vd= 輸出二極管的正向壓降
  	Io= 輸出電流

• 此配置的面積乘積如下：

  其中，	η = 全橋轉(zhuǎn)換器的效率
  	Kw = 窗口系數(shù)
  	J = 電流密度 (A/m2)
  	Bm = 磁通密度
  	Fsw = 開關(guān)頻率

• 初級(jí)匝數(shù)

  其中，	Ac= 磁芯面積
  	Vin（最大值）= 應(yīng)用于全橋轉(zhuǎn)換器的最大輸入電壓

• 匝數(shù)比

  其中，	Vin 最小值 = 應(yīng)用于全橋轉(zhuǎn)換器的最小輸入電壓
  	次級(jí)匝數(shù) Ns = n x Np

• 電流 RMS 值

  	Isec = Io√Dmax
  	Ipri = n x Io
  其中，	Isec = 次級(jí)電流
  	Ipri = 初級(jí)電流

根據(jù)上述公式，可以計(jì)算出所需輸出功率的對(duì)應(yīng)匝數(shù)，并且還可以找出給定磁芯面積的初級(jí)和次級(jí)電流的 rms 值。

該計(jì)算基于 1kVA 的要求，以電池輸入作為 EF32 磁芯中的輸入電壓 (12V)，并計(jì)算了初級(jí)和次級(jí)的相應(yīng)匝數(shù)。

圖 5-2 全橋直流/直流轉(zhuǎn)換器的柵極驅(qū)動(dòng)波形

Topic Link Label3.2.1為了最小化磁通走漏，如所述，可以使用全差分隔離放大器 AMC1100 來感測(cè)每個(gè)導(dǎo)通半部中的峰值電流。

AMC1100 是一款精密隔離放大器，通過高磁場(chǎng)抗擾度的二氧化硅 (SiO2) 隔離柵將輸出與輸入電路隔離。該隔離柵通過 UL1577 與 IEC60747-5-2 認(rèn)證，可提供峰值高達(dá) 4250V 的電隔離。當(dāng)與隔離電源配合使用時(shí)，此器件可防止高共模電壓線路上的噪聲電流流入本地接地端并干擾或損壞敏感電路。

在感應(yīng)到峰值電流之后會(huì)針對(duì)每個(gè)相應(yīng)的半部校正占空比，因此可以校正伏秒不對(duì)稱問題，從而最小化磁通走漏。