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LM5109B-Q1

正在供貨

具有 8V UVLO 和高抗擾度的汽車類 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動器

產(chǎn)品詳情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 90 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (μs) 0.03 Rise time (ns) 15 Fall time (ns) 15 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual inputs
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WSON (NGT) 8 16 mm2 4 x 4
  • 符合汽車類 應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列結(jié)果
    • 器件溫度 1 級
    • 器件人體放電模型 (HBM) 靜電放電 (ESD) 分類等級 1C
    • 器件組件充電模型 (CDM) ESD 分類等級 C4A
  • 可驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)
  • 1A 峰值輸出電流(1.0A 灌電流/1.0A 拉電流)
  • 獨立的晶體管-晶體管邏輯電路/互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (TTL/CMOS) 兼容輸入
  • 自舉電源電壓高達(dá) 108V(直流)
  • 短暫傳播時間(典型值為 30ns)
  • 可以 15ns 的上升和下降時間驅(qū)動 1000pF 負(fù)載
  • 優(yōu)異的傳播延遲匹配(典型值為 2ns)
  • 電源軌欠壓鎖定
  • 低功耗
  • 耐熱增強(qiáng)型晶圓級小外形無引線 (WSON)-8 封裝

應(yīng)用

  • 推挽轉(zhuǎn)換器
  • 半橋和全橋電源轉(zhuǎn)換器
  • 固態(tài)電機(jī)驅(qū)動器
  • 雙開關(guān)正向電源轉(zhuǎn)換器

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 符合汽車類 應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列結(jié)果
    • 器件溫度 1 級
    • 器件人體放電模型 (HBM) 靜電放電 (ESD) 分類等級 1C
    • 器件組件充電模型 (CDM) ESD 分類等級 C4A
  • 可驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)
  • 1A 峰值輸出電流(1.0A 灌電流/1.0A 拉電流)
  • 獨立的晶體管-晶體管邏輯電路/互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (TTL/CMOS) 兼容輸入
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  • 優(yōu)異的傳播延遲匹配(典型值為 2ns)
  • 電源軌欠壓鎖定
  • 低功耗
  • 耐熱增強(qiáng)型晶圓級小外形無引線 (WSON)-8 封裝

應(yīng)用

  • 推挽轉(zhuǎn)換器
  • 半橋和全橋電源轉(zhuǎn)換器
  • 固態(tài)電機(jī)驅(qū)動器
  • 雙開關(guān)正向電源轉(zhuǎn)換器

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LM5109B-Q1 是一款具有成本效益的高電壓柵極驅(qū)動器,設(shè)計用于驅(qū)動采用同步降壓或半橋配置的高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET。懸空高側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá) 90V 的電源軌電壓下工作。輸出通過兼容 TTL/CMOS 的邏輯輸入閾值獨立控制。穩(wěn)健可靠的電平轉(zhuǎn)換技術(shù)同時擁有高運(yùn)行速度和低功耗特性,并且可提供從控制輸入邏輯到高側(cè)柵極驅(qū)動器的干凈電平轉(zhuǎn)換。該器件在低側(cè)和高側(cè)電源軌上提供了欠壓鎖定功能。該器件采用耐熱增強(qiáng)型 WSON(8) 封裝。

LM5109B-Q1 是一款具有成本效益的高電壓柵極驅(qū)動器,設(shè)計用于驅(qū)動采用同步降壓或半橋配置的高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET。懸空高側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá) 90V 的電源軌電壓下工作。輸出通過兼容 TTL/CMOS 的邏輯輸入閾值獨立控制。穩(wěn)健可靠的電平轉(zhuǎn)換技術(shù)同時擁有高運(yùn)行速度和低功耗特性,并且可提供從控制輸入邏輯到高側(cè)柵極驅(qū)動器的干凈電平轉(zhuǎn)換。該器件在低側(cè)和高側(cè)電源軌上提供了欠壓鎖定功能。該器件采用耐熱增強(qiáng)型 WSON(8) 封裝。

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