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UCC27712

正在供貨

支持互鎖功能的 1.8A/2.8A、620V 半橋驅(qū)動器

可提供此產(chǎn)品的更新版本

功能與比較器件相同，但引腳排列有所不同
新 UCC27734 正在供貨 具有 8V UVLO 和互鎖的 700V、4A 半橋柵極驅(qū)動器 same functionality

產(chǎn)品詳情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 700 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 20 Peak output current (A) 2.8 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 10 Rating Catalog Propagation delay time (μs) 0.1 Rise time (ns) 16 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.25 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Noninverting Switch node voltage (V) -11 Features Dead time control, Interlock Driver configuration CMOS compatible, Dual, Noninverting, TTL compatible
Bootstrap supply voltage (max) (V) 700 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 20 Peak output current (A) 2.8 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 10 Rating Catalog Propagation delay time (μs) 0.1 Rise time (ns) 16 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.25 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Noninverting Switch node voltage (V) -11 Features Dead time control, Interlock Driver configuration CMOS compatible, Dual, Noninverting, TTL compatible
SOIC (D) 8 29.4 mm2 4.9 x 6
  • 高側(cè)和低側(cè)配置
  • 雙輸入，帶輸出互鎖和 150ns 死區(qū)時間
  • 在高達(dá) 620V 的電壓下完全可正常工作，HB 引腳上的絕對最高電壓為 700V
  • VDD 建議范圍為 10V 至 20V
  • 峰值輸出電流 2.8A 灌電流、1.8A 拉電流
  • 50V/ns 的 dv/dt 抗擾度
  • HS 引腳上的邏輯運(yùn)行電壓高達(dá) –11V
  • 輸入負(fù)電壓容差為 –5V
  • 大型負(fù)瞬態(tài)安全工作區(qū)
  • 為兩個通道提供 UVLO 保護(hù)
  • 短傳播延遲（典型值 100ns）
  • 延遲匹配（典型值 12ns）
  • 設(shè)計(jì)用于自舉操作的懸空通道
  • 低靜態(tài)電流
  • TTL 和 CMOS 兼容輸入
  • 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) SOIC-8 封裝
  • 所有參數(shù)額定溫度范圍：–40°C 至 +125°C
  • 高側(cè)和低側(cè)配置
  • 雙輸入，帶輸出互鎖和 150ns 死區(qū)時間
  • 在高達(dá) 620V 的電壓下完全可正常工作，HB 引腳上的絕對最高電壓為 700V
  • VDD 建議范圍為 10V 至 20V
  • 峰值輸出電流 2.8A 灌電流、1.8A 拉電流
  • 50V/ns 的 dv/dt 抗擾度
  • HS 引腳上的邏輯運(yùn)行電壓高達(dá) –11V
  • 輸入負(fù)電壓容差為 –5V
  • 大型負(fù)瞬態(tài)安全工作區(qū)
  • 為兩個通道提供 UVLO 保護(hù)
  • 短傳播延遲（典型值 100ns）
  • 延遲匹配（典型值 12ns）
  • 設(shè)計(jì)用于自舉操作的懸空通道
  • 低靜態(tài)電流
  • TTL 和 CMOS 兼容輸入
  • 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) SOIC-8 封裝
  • 所有參數(shù)額定溫度范圍：–40°C 至 +125°C

UCC27712 是一款 620V 高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器，具有 1.8A 拉電流、2.8A 灌電流能力，專用于驅(qū)動功率 MOSFET 或 IGBT。

對于 IGBT，建議的 VDD 工作電壓為 10V 至 20V，對于功率 MOSFET，建議的 VDD 工作電壓為 10V 至 17V。

UCC27712 包含保護(hù) 功能， 在此情況下，當(dāng)輸入保持開路狀態(tài)時，或當(dāng)未滿足最低輸入脈寬規(guī)范時，輸出保持低位。互鎖和死區(qū)時間功能可防止兩個輸出同時打開。此外，該器件可接受寬泛的偏置電源范圍并且為 VDD 和 HB 偏置電源提供了 UVLO 保護(hù)。

該器件采用 TI 先進(jìn)的高壓器件技術(shù)， 具有 強(qiáng)大的驅(qū)動器，擁有卓越的噪聲和瞬態(tài)抗擾度，包括較大的輸入負(fù)電壓容差、高 dV/dt 容差、開關(guān)節(jié)點(diǎn)上較寬的負(fù)瞬態(tài)安全工作區(qū) (NTSOA)，以及互鎖。

該器件包含一個接地基準(zhǔn)通道 (LO) 和一個懸空通道 (HO)，后者專用于自舉電源或隔離式電源操作。該器件 具有 快速傳播延遲和兩個通道之間卓越的延遲匹配。在 UCC27712 上，每個通道均由其各自的輸入引腳 HI 和 LI 控制。

UCC27712 是一款 620V 高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器，具有 1.8A 拉電流、2.8A 灌電流能力，專用于驅(qū)動功率 MOSFET 或 IGBT。

對于 IGBT，建議的 VDD 工作電壓為 10V 至 20V，對于功率 MOSFET，建議的 VDD 工作電壓為 10V 至 17V。

UCC27712 包含保護(hù) 功能， 在此情況下，當(dāng)輸入保持開路狀態(tài)時，或當(dāng)未滿足最低輸入脈寬規(guī)范時，輸出保持低位?；ユi和死區(qū)時間功能可防止兩個輸出同時打開。此外，該器件可接受寬泛的偏置電源范圍并且為 VDD 和 HB 偏置電源提供了 UVLO 保護(hù)。

該器件采用 TI 先進(jìn)的高壓器件技術(shù)， 具有 強(qiáng)大的驅(qū)動器，擁有卓越的噪聲和瞬態(tài)抗擾度，包括較大的輸入負(fù)電壓容差、高 dV/dt 容差、開關(guān)節(jié)點(diǎn)上較寬的負(fù)瞬態(tài)安全工作區(qū) (NTSOA)，以及互鎖。

該器件包含一個接地基準(zhǔn)通道 (LO) 和一個懸空通道 (HO)，后者專用于自舉電源或隔離式電源操作。該器件 具有 快速傳播延遲和兩個通道之間卓越的延遲匹配。在 UCC27712 上，每個通道均由其各自的輸入引腳 HI 和 LI 控制。
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技術(shù)文檔

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* 數(shù)據(jù)表 具有互鎖功能的 UCC27712 620V、1.8A、2.8A 高側(cè)低側(cè)柵極驅(qū)動器 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) PDF | HTML 最新英語版本 (Rev.B) PDF | HTML 2019年 2月 7日
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應(yīng)用手冊 比較分析兩種不同的可提高柵極驅(qū)動電流的方法 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 4月 1日
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應(yīng)用手冊 Implementing High-Side Switches Using Half-Bridge Gate Drivers for 48-V Battery. 2020年 5月 12日
應(yīng)用簡報 了解峰值源電流和灌電流 (Rev. A) 英語版 (Rev.A) 2020年 4月 29日
應(yīng)用簡報 適用于柵極驅(qū)動器的外部柵極電阻器設(shè)計(jì)指南 (Rev. A) 英語版 (Rev.A) 2020年 4月 29日
更多文獻(xiàn)資料 Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 2018年 10月 29日
技術(shù)文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse PDF | HTML 2018年 9月 19日
技術(shù)文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadti PDF | HTML 2018年 5月 30日
技術(shù)文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 1: negative voltage PDF | HTML 2018年 4月 17日
更多文獻(xiàn)資料 MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器電路的基本原理 最新英語版本 (Rev.A) 2018年 4月 17日

設(shè)計(jì)與開發(fā)

如需其他信息或資源，請點(diǎn)擊以下任一標(biāo)題進(jìn)入詳情頁面查看（如有）。

評估板

UCC27712EVM-287 — UCC27712 具有互鎖功能的 620V、1.8A、2.8A 高側(cè)低側(cè)柵極驅(qū)動器評估模塊

UCC27712EVM-287 適用于評估 UCC27712D，后者是一種具備高峰值拉電流和灌電流能力的 620V 半橋柵極驅(qū)動器。此 EVM 可用于參照驅(qū)動器 IC 的數(shù)據(jù)表對其進(jìn)行評估。該 EVM 還可用作驅(qū)動器 IC 組件選擇指南。該 EVM 可輕松地配置為各種功率級拓?fù)洌ɡ缤浇祲恨D(zhuǎn)換器），且布局效果可進(jìn)行測試。
用戶指南: PDF
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仿真模型

UCC27712 PSpice Transient Model

SLUM579.ZIP (68 KB) - PSpice Model
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仿真模型

UCC27712 TINA-TI Transient Reference Design

SLUM599.TSC (1513 KB) - TINA-TI Reference Design
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仿真模型

UCC27712 TINA-TI Transient Spice Model

SLUM600.ZIP (23 KB) - TINA-TI Spice Model
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仿真模型

UCC27712 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM637.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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原理圖

UCC2771x Schematic Review Template

SLURB13.ZIP (63 KB)
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模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計(jì)和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境。此功能齊全的設(shè)計(jì)和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費(fèi)使用，包括業(yè)內(nèi)超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產(chǎn)品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境及其內(nèi)置的模型庫，您可對復(fù)雜的混合信號設(shè)計(jì)進(jìn)行仿真。創(chuàng)建完整的終端設(shè)備設(shè)計(jì)和原型解決方案，然后再進(jìn)行布局和制造，可縮短產(chǎn)品上市時間并降低開發(fā)成本。?

在?PSpice for TI 設(shè)計(jì)和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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SOIC (D) 8 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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