ZHCSO86C December 2022 – August 2025 LM74900-Q1 , LM74910-Q1 , LM74910H-Q1
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| tDGATE_OFF(dly) | 反向電壓檢測(cè)期間的 DGATE 關(guān)斷延遲 | V(A) – V(C) = +30mV 至 –100mV 至 V(DGATE–A) < 1V，C(DGATE–A) = 10nF | 0.5 | 0.95 | μs | |
| tDGATE_ON(dly) | 正向電壓檢測(cè)期間的 DGATE 導(dǎo)通延遲 | V(A)–V(C) = –20mV 至 +700mV 至 V(DGATE-A) > 5V，C(DGATE-A) = 10nF，僅限 LM74900-Q1 | 2 | 3.8 | μs | |
| tDGATE_ON(dly) | 正向電壓檢測(cè)期間的 DGATE 導(dǎo)通延遲 | V(A)–V(C) = –20mV 至 +700mV 至 V(DGATE-A) > 5V，C(DGATE-A) = 10nF，僅限 LM74910-Q1 | 0.75 | 1.6 | μs | |
| tEN(dly)_DGATE | EN 期間的 DGATE 導(dǎo)通延遲 | EN ↑ 至 V(DGATE-A) > 5V，C(DGATE-A) = 10nF | 180 | 270 | μs | |
| tUVLO_OFF(deg)_HGATE | UVLO 期間的 HGATE 關(guān)斷抗尖峰脈沖 | UVLO ↓ 至 HGATE ↓ | 5 | 7 | μs | |
| tUVLO_ON(deg)_HGATE | UVLO 期間的 HGATE 導(dǎo)通抗尖峰脈沖 | UVLO ↑ 至 HGATE ↑ | 8.5 | μs | ||
| tOVP_OFF(deg)_HGATE | OV 期間的 HGATE 關(guān)斷抗尖峰脈沖 | OV ↑ 至 HGATE ↓ | 4 | 7 | μs | |
| tOVP_ON(deg)_HGATE | OV 期間的 HGATE 導(dǎo)通抗尖峰脈沖 | OV ↓ 至 HGATE ↑ | 9 | μs | ||
| tSCP_DLY | 短路保護(hù)關(guān)閉延遲 | (VISCP - VCS-) = 0mV 至 100mV HGATE↓，CGS = 4.7nF | 3 | 5.5 | μs | |
| tOCP_TMR_DLY | 過(guò)流保護(hù)關(guān)閉延遲 | (VCS+ - VCS-)↑ HGATE↓，CTMR = 50pF |
35 | μs | ||
| 過(guò)流保護(hù)關(guān)閉延遲 | (VCS+ - VCS-)↑ HGATE↓，CTMR = 10nF | 190 | μs | |||
| tAUTO_RETRY_DLY | 過(guò)流/短路保護(hù)自動(dòng)重試延遲 | (VCS+ - VCS-) ↓ HGATE ↑，CTMR = 50pF |
1.5 | ms | ||
| 過(guò)流/短路保護(hù)自動(dòng)重試延遲 | (VCS+ - VCS-) ↓ HGATE ↑，CTMR = 10nF |
230 | ms | |||
| tFLT_ASSERT | 故障置位延遲 | (VCS+ - VCS-)↑ FLT↓，CTMR = 50pF |
35 | μs | ||
| 故障置位延遲 | OV ↑ 至 FLT ↓ | 3 | μs | |||
| tFLT_DE-ASSERT | 故障取消置位延遲 | 4 | μs | |||
| tSLEEP_OCP_LATCH | 睡眠 OCP 鎖存延遲 | 3.5 | 7.5 | μs | ||
| tSLEEP_MODE | 睡眠模式進(jìn)入延遲 | SLEEP=低電平，EN=高電平 | 95 | μs | ||
| tOVCLAMP | OV 鉗位響應(yīng)延遲 | 3.5 | μs | |||