ZHCSO86C December 2022 – August 2025 LM74900-Q1 , LM74910-Q1 , LM74910H-Q1
PRODUCTION DATA
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LM749x0-Q1 系列理想二極管控制器可驅(qū)動背對背外部 N 溝道 MOSFET，從而通過斷路器、欠壓和過壓保護(hù)功能實(shí)現(xiàn)低損耗電源路徑保護(hù)。
3V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護(hù)和控制 12V 和 24V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可以承受低至 –65V 的負(fù)電源電壓并保護(hù)負(fù)載免受這些電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 可驅(qū)動第一個 MOSFET 來代替肖特基二極管，以實(shí)現(xiàn)反向輸入保護(hù)和輸出電壓保持功能。在電源路徑中使用了第二個 MOSFET 的情況下，該器件允許負(fù)載斷開（開/關(guān)控制）并使用 HGATE 控制提供過壓保護(hù)。該器件具有可調(diào)節(jié)過壓切斷保護(hù)功能。通過功率 MOSFET 的共漏極配置，可以使用另一個理想二極管將中點(diǎn)用于 OR-ing 設(shè)計(jì)。LM749x0-Q1 的最大額定電壓為 65V。
該器件具有精確的電流檢測輸出 (IMON)，典型精度為 ±10%，可幫助系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)能源管理。它集成了兩級過流保護(hù)，包括斷路器功能 (TMR) 和故障 (FLT) 輸出，具有完全可調(diào)節(jié)的閾值和響應(yīng)時間?？梢耘渲米詣又卦嚭玩i存故障行為。
該器件提供可調(diào)節(jié)過壓和欠壓保護(hù)，可在發(fā)生電壓瞬態(tài)事件時提供穩(wěn)健的負(fù)載斷開功能。
LM749x0-Q1 具有兩種不同的低功耗模式，具體取決于 EN 和 SLEEP 引腳的狀態(tài)。在睡眠模式（SLEEP = 低電平、EN = 高電平）下，該器件會關(guān)閉外部 MOSFET 柵極驅(qū)動器和內(nèi)部電荷泵，僅消耗 6μA 電流，但同時提供內(nèi)部旁路路徑，以便為電流容量有限的常開負(fù)載供電。當(dāng)使能引腳處于低電平時，器件通過完全切斷負(fù)載進(jìn)入超低功耗模式，典型流耗為 2.87μA。LM749x0-Q1 的高電壓額定值有助于簡化滿足 ISO7637 汽車保護(hù)測試標(biāo)準(zhǔn)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。LM749x0-Q1 還適用于 ORing 和優(yōu)先級電源多路復(fù)用器應(yīng)用。