5 引腳配置和功能

LM74900-Q1 LM74910-Q1 LM74910H-Q1 RGE 封裝，24 引腳 VQFN（透明頂視圖）

圖 5-1 RGE 封裝，24 引腳 VQFN（透明頂視圖）

表 5-1 引腳功能

引腳		類型⁽¹⁾	說明
名稱	編號(hào)	類型⁽¹⁾	說明
DGATE	1	O	二極管控制器柵極驅(qū)動(dòng)輸出。連接到外部 MOSFET 的柵極。
A	2	I	理想二極管的陽極。連接到外部 MOSFET 的源極。
SW	3	I	電壓檢測斷開開關(guān)端子。VSNS 和 SW 通過開關(guān)在內(nèi)部連接。使用 SW 作為電池檢測或 OV 電阻梯網(wǎng)絡(luò)的頂部連接點(diǎn)。當(dāng) EN 被拉至低電平時(shí)，該開關(guān)關(guān)斷以斷開電阻梯與電池線路的連接，從而切斷漏電流。如果未使用 VSNS 和 SW 之間的內(nèi)部斷開開關(guān)，則將它們短接在一起并連接到 VS 引腳。
UVLO	4	I	可調(diào)節(jié)欠壓閾值輸入。在 SW 與 UVLO 端子到 GND 之間連接一個(gè)電阻梯。當(dāng) UVLO 上的電壓低于欠壓切斷閾值時(shí)，HGATE 被拉至低電平，從而關(guān)斷 HSFET。當(dāng)檢測電壓高于 UVLO 下降閾值時(shí)，HGATE 導(dǎo)通。
OV	5	I	可調(diào)節(jié)過壓閾值輸入。在 SW 與 OV 端子之間連接一個(gè)電阻梯。當(dāng) OVP 上的電壓超過過壓切斷閾值時(shí)，HGATE 被拉至低電平，從而關(guān)斷 HSFET。當(dāng)檢測電壓低于 OVP 下降閾值時(shí)，HGATE 導(dǎo)通。
EN	6	I	EN 輸入。連接到 VS 引腳以實(shí)現(xiàn)常開運(yùn)行。可通過微控制器 I/O 從外部驅(qū)動(dòng)。將其拉至低于 V_(ENF) 的低電平可使器件進(jìn)入低 Iq 關(guān)斷模式。
SLEEP	7	I	低電平有效睡眠模式輸入?？梢杂晌⒖刂破黩?qū)動(dòng)。當(dāng)被拉低時(shí)，該器件會(huì)進(jìn)入低功耗狀態(tài)，并且電荷泵和柵極驅(qū)動(dòng)關(guān)閉。內(nèi)部旁路開關(guān)以有限電流能力提供輸出電壓。
NC	8	—	無連接。
TMR	9	I	故障計(jì)時(shí)器輸入。TMR 引腳與 GND 之間的電容器可設(shè)置故障警告、故障關(guān)斷 (FLT) 和重試周期的時(shí)間。將它保持開路可設(shè)置最快速度。將 TMR 連接到 GND 將禁用過流保護(hù)。
IMON	10	O	模擬電流監(jiān)視器輸出。該引腳通過外部電流檢測電阻 R_SNS 提供按比例降低的電流。該引腳與 GND 之間的電阻器可將電流成比例轉(zhuǎn)換為電壓。如果未使用，請將其保持懸空狀態(tài)。
ILIM	11	I	過流檢測設(shè)置。ILIM 與 GND 之間的電阻器可以設(shè)置過流比較器閾值。如果不需要過流保護(hù)功能，請將 ILIM 連接到 GND。
FLT	12	O	開漏故障輸出。在發(fā)生 UVLO、OV、OCP 或 SCP 事件時(shí)，F(xiàn)LT 引腳會(huì)被拉低。
GND	13	G	連接到系統(tǒng)接地平面。
HGATE	14	O	HSFET 的柵極驅(qū)動(dòng)器輸出。連接到外部 FET 的柵極。
OUT	15	I	連接到輸出電源軌（外部 MOSFET 源極）。
SLEEP_OV	16	I	睡眠模式過壓保護(hù)引腳。將此引腳連接到 VS 可實(shí)現(xiàn)過壓切斷功能。連接到 OUT 可實(shí)現(xiàn)過壓鉗位功能。
NC	17	—	無連接。
ISCP	18	I	短路檢測閾值設(shè)置。如果不需要短路保護(hù)功能，請將 ISCP 保持懸空狀態(tài)。當(dāng) ISCP 連接到 CS+ 時(shí)，器件會(huì)將內(nèi)部固定閾值設(shè)置為 20mV。
CS–	19	I	電流檢測負(fù)輸入。
CS+	20	I	電流檢測正輸入。在 CS+ 與外部電流檢測電阻器之間連接一個(gè) 50 至 100mΩ 的電阻器。
NC	21	—	無連接。
VS	22	P	IC 的輸入電源。將 VS 連接到共漏極背對背 MOSFET 配置的中點(diǎn)。在 VS 和 GND 引腳之間連接一個(gè) 100nF 電容器。
CAP	23	O	電荷泵輸出。在 CAP 和 VS 引腳之間連接一個(gè) 100nF 電容器。
C	24	I	理想二極管的陰極。連接到外部 MOSFET 的漏極。
RTN	散熱焊盤	—	將外露焊盤保持懸空。不要連接到 GND 平面。

(1) I = 輸入，O = 輸出，I/O = 輸入和輸出，P = 電源，G = 接地