ZHCSO86C December 2022 – August 2025 LM74900-Q1 , LM74910-Q1 , LM74910H-Q1
PRODUCTION DATA
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LM749x0-Q1 控制兩個(gè) N 溝道功率 MOSFET，其中 DGATE 用于控制二極管 MOSFET 以模擬理想二極管，而 HGATE 用于控制第二個(gè) MOSFET，以便在禁用時(shí)或者過(guò)流、過(guò)壓、欠壓事件期間切斷電源路徑。HGATE 控制的 MOSFET 可用于在過(guò)壓或負(fù)載突降情況下鉗制輸出?？墒褂?EN 或 SLEEP 將 LM749x0-Q1 置于低靜態(tài)電流模式，其中 DGATE 和 HGATE 均關(guān)斷。
該器件有一個(gè)獨(dú)立的電源輸入引腳 (VS)。電荷泵源自這個(gè)電源輸入。LM749x0-Q1 器件具有單獨(dú)的電源輸入配置和單獨(dú)的柵極控制架構(gòu)，可在共漏極拓?fù)渲序?qū)動(dòng)背對(duì)背連接的 MOSFET，從而支持各種系統(tǒng)架構(gòu)，例如電源 ORing 應(yīng)用和電源優(yōu)先級(jí)多路復(fù)用器應(yīng)用。借助這些不同的拓?fù)?，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員可以設(shè)計(jì)前端電源系統(tǒng)來(lái)滿足各種系統(tǒng)設(shè)計(jì)要求。