ZHCSO86C December 2022 – August 2025 LM74900-Q1 , LM74910-Q1 , LM74910H-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測量信息
- 8 詳細(xì)說明
- 9 應(yīng)用和實施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGE|24
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGE|24
訂購信息
9.2.2.3 輸入微短路保護(hù)：LV124 E-10
LV124 標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的 E-10 測試可檢查電子模塊對于因接觸問題或繼電器反彈而導(dǎo)致的電源輸入短時中斷問題是否具有抗擾能力。該測試（案例 2）過程中會對輸入施加微短路，持續(xù)時間短至 10μs 至幾 ms。為了達(dá)到功能通過狀態(tài) A，電子模塊需要在 E-10 測試（案例 2）期間不間斷運(yùn)行 100μs。與單柵極驅(qū)動控制器相比，LM749x0-Q1 的雙柵極驅(qū)動架構(gòu)（DGATE 和 HGATE）能夠達(dá)到功能通過狀態(tài) A，并在輸出端提供最佳保持電容。當(dāng)輸入微短路持續(xù) 100μs 時，LM749x0-Q1 通過將 DGATE 短接至陽極（MOSFET 的源極）在 0.5μs 內(nèi)快速關(guān)斷 MOSFET Q1 以防止輸出放電，而 HGATE 保持導(dǎo)通狀態(tài)以使 MOSFET Q2 保持導(dǎo)通狀態(tài)，從而在輸入短路條件消失后實現(xiàn)快速恢復(fù)。
在 E10 輸入電源中斷測試案例 2 期間 LM749x0-Q1 的性能如圖 10-4 所示。輸入短路消除后，輸入電壓恢復(fù)且 VAC 電壓超過正向?qū)ㄩ撝?(VAC_FWD)，MOSFET Q1 快速重新導(dǎo)通。請注意，雙柵極驅(qū)動拓?fù)湓试S MOSFET Q2 在測試期間保持導(dǎo)通狀態(tài)，并有助于更快地恢復(fù)輸入功率。在整個持續(xù)時間內(nèi)，輸出電壓保持不受干擾，從而達(dá)到功能狀態(tài) A。
圖 9-5 輸入微短路 – LV124 E10 TC 2 100μs