ZHCSO86C December 2022 – August 2025 LM74900-Q1 , LM74910-Q1 , LM74910H-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測(cè)量信息
- 8 詳細(xì)說(shuō)明
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGE|24
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGE|24
訂購(gòu)信息
8.3.2.2 負(fù)載斷開開關(guān)控制（HGATE、OUT）
HGATE 和 OUT 由負(fù)載斷開開關(guān)控制級(jí)組成。將外部 MOSFET 的源極連接到 OUT，將柵極連接到 HGATE。
啟用 HGATE 驅(qū)動(dòng)器之前，必須滿足以下條件：
- EN 和 SLEEP 引腳電壓必須大于指定的輸入高電壓。
- CAP 至 VS 電壓必須大于欠壓鎖定電壓。
- VS 引腳上的電壓必須大于 VS POR 上升閾值。
如果未達(dá)到上述條件，則 HGATE 引腳從內(nèi)部連接到 OUT 引腳，確保外部 MOSFET 被禁用。
對(duì)于浪涌電流限制，請(qǐng)連接 CdVdT 電容器和 R1，如圖 8-2 所示。
圖 8-2 浪涌電流限制為了限制浪涌電流，需要使用 CdVdT 電容器在上電期間減緩 HGATE 電壓斜升。使用方程式 2 計(jì)算 CdVdT 電容值。
方程式 2. 
其中 IHATE_DRV 為 55μA（典型值），IINRUSH 為浪涌電流，COUT 為輸出負(fù)載電容。與 CdVdT 電容器串聯(lián)的額外電阻 R1 可縮短關(guān)斷時(shí)間。