ZHCSQY9A October 2024 – December 2025 LM65680-Q1
ADVANCE INFORMATION
啟用 MOSFET 時(shí),高側(cè)功率 MOSFET 的柵極驅(qū)動(dòng)器需要高于 VIN 的偏置電壓。連接 BST 與 SW 的電容器充當(dāng)自舉電源,將 BST 電壓升至 VSW + VVCC。LM656x0-Q1 具有集成自舉二極管,可盡量減少外部元件數(shù)量。TI 建議使用 100nF 的 BST 電容器,額定電壓為 10V,采用 X7R 電介質(zhì)。