按照以下步驟選擇用于外部補償?shù)脑?/p>

1. 將交叉頻率設(shè)置為開關(guān)頻率的 10% 到 20%。在本例中，f_C 指定為 50kHz，假設(shè)有效輸出電容為 32μF（兩個 22μF、25V 陶瓷電容在 12VDC 電壓下降額），且 ESR 可以忽略不計，此時使用 方程式 49 來計算 R_COMP
   方程式 49. ${\mathrm{R}}_{\mathrm{C}\mathrm{O}\mathrm{M}\mathrm{P}}={2\mathrm{\pi }\times \mathrm{f}}_{\mathrm{C}}\times \frac{{\mathrm{V}}_{\mathrm{O}\mathrm{U}\mathrm{T}}}{{\mathrm{V}}_{\mathrm{R}\mathrm{E}\mathrm{F}}}\times \frac{{\mathrm{C}}_{\mathrm{O}\mathrm{U}\mathrm{T}}}{{\mathrm{g}}_{\mathrm{m}}\times \mathrm{G}}=2\mathrm{\pi }\times 50\mathrm{k}\mathrm{H}\mathrm{z}\times \frac{12\mathrm{V}}{0.8\mathrm{V}}\times \frac{32\mathrm{\mu }\mathrm{F}}{1\mathrm{m}\mathrm{S}\times 14.6\mathrm{S}}=10.3\mathrm{k}\mathrm{\Omega }$
   其中
   • LM65680-Q1、LM65660-Q1 和 LM65640-Q1 分別對應(yīng) G = 14.6A/V、10.9A/V 和 8.1A/V，是與內(nèi)部電流檢測增益相關(guān)的系數(shù)。
   為 R_COMP 選擇 10k? 的標(biāo)準(zhǔn)值。
2. 計算出 C_COMP，以便在 (1) 交叉頻率的十分之一或 (2) 負(fù)載極點條件下（取較大者）產(chǎn)生一個零點。為 C_COMP 選擇 3.3nF 的標(biāo)準(zhǔn)值。
   方程式 50. ${\mathrm{C}}_{\mathrm{C}\mathrm{O}\mathrm{M}\mathrm{P}}=\frac{10}{2\mathrm{\pi }\times {\mathrm{f}}_{\mathrm{C}}\times {\mathrm{R}}_{\mathrm{C}\mathrm{O}\mathrm{M}\mathrm{P}}}=\frac{10}{2\mathrm{\pi }\times 50\mathrm{k}\mathrm{H}\mathrm{z}\times 10\mathrm{k}\mathrm{\Omega }}=3.18\mathrm{n}\mathrm{F}$
   通常，將 R_COMP 和 C_COMP 的時間常數(shù)設(shè)置為約 25μs，以在負(fù)載瞬態(tài)后實現(xiàn)輸出電壓的快速穩(wěn)態(tài)響應(yīng)。
3. 計算出 C_HF，使極點出現(xiàn)在 ESR 零點頻率和開關(guān)頻率一半中較低者的位置（以衰減從輸出到 COMP 的高頻噪聲耦合）。為 C_HF 選擇 47pF 的標(biāo)準(zhǔn)值。
   方程式 51. ${\mathrm{C}}_{\mathrm{H}\mathrm{F}}=\frac{1}{2\mathrm{\pi }\times \frac{{\mathrm{F}}_{\mathrm{S}\mathrm{W}}}{2}\times {\mathrm{R}}_{\mathrm{C}\mathrm{O}\mathrm{M}\mathrm{P}}}-{\mathrm{C}}_{\mathrm{B}\mathrm{W}}=\frac{1}{2\mathrm{\pi }\times \frac{400\mathrm{k}\mathrm{H}\mathrm{z}}{2}\times 10\mathrm{k}\mathrm{\Omega }}-40\mathrm{p}\mathrm{F}=39\mathrm{p}\mathrm{F}$

或者，通過將 CNFG/SYNCOUT 連接到 VCC 來使用內(nèi)部補償。使 COMP 保持開路或連接到 PGND。