電源輸入通常在開關(guān)頻率下具有相對較高的源阻抗。需要高質(zhì)量的輸入電容器來限制輸入紋波電壓。通常，紋波電流會根據(jù)電容器在開關(guān)頻率條件下的相對阻抗在幾個(gè)輸入電容器之間進(jìn)行分流。

1. 選擇具有足夠電壓和 RMS 電流額定值的輸入電容器。使用方程式 54 來計(jì)算輸入電容器中的 RMS 電流，其中最壞情況工作點(diǎn)是輸入電壓為 10V 時(shí)，對應(yīng)于 50% 占空比。
   方程式 31. ${\mathrm{I}}_{\mathrm{C}\mathrm{I}\mathrm{N}\left(\mathrm{r}\mathrm{m}\mathrm{s}\right)}\mathrm{ }=\mathrm{ }{\mathrm{I}}_{\mathrm{O}\mathrm{U}\mathrm{T}}\times \sqrt{\mathrm{D}\times (1-\mathrm{D})}\mathrm{ }=8\mathrm{}\mathrm{A}\mathrm{ }\times \mathrm{ }\sqrt{0.5\mathrm{ }\times \mathrm{ }(1-0.5)}=4\mathrm{}\mathrm{A}\mathrm{ }$
2. 假設(shè) 48V 至 5V 轉(zhuǎn)換的占空比約為 10%，使用方程式 43 來查找所需的輸入電容：
   方程式 32. ${\mathrm{C}}_{\mathrm{I}\mathrm{N}}\mathrm{ }\ge \mathrm{ }\frac{\mathrm{D}\times \left(1-\mathrm{D}\right)\times {\mathrm{I}}_{\mathrm{O}\mathrm{U}\mathrm{T}}}{{\mathrm{F}}_{\mathrm{S}\mathrm{W}}\times {(\mathrm{\Delta }\mathrm{V}}_{\mathrm{I}\mathrm{N}}-{\mathrm{R}}_{\mathrm{E}\mathrm{S}\mathrm{R,Cin}}\times {\mathrm{I}}_{\mathrm{O}\mathrm{U}\mathrm{T}})}=\frac{0.1\times \left(1-0.1\right)\times 8\mathrm{}\mathrm{A}}{400\mathrm{}\mathrm{k}\mathrm{H}\mathrm{z}\mathrm{ }\times \left(480\mathrm{}\mathrm{m}\mathrm{V}-2\mathrm{}\mathrm{m}\mathrm{\Omega }\mathrm{ }\times \mathrm{ }8\mathrm{}\mathrm{A}\right)}=\mathrm{ }4.8\mathrm{}\mathrm{\mu }\mathrm{F}$

   其中

   • ΔV_IN 是峰值間輸入紋波電壓的規(guī)格。
   • R_ESR,Cin 是輸入電容器的有效 ESR。
3. 確認(rèn)陶瓷電容器的電壓系數(shù)后，選擇四個(gè) 4.7μF、100V、X7R、1210 陶瓷輸入電容器。每個(gè)電容器在 48VDC 時(shí)的有效電容值約為 1.3μF。將這些電容器放置在輸入引腳對 [VIN1, PGND1] 和 [VIN2, PGND2] 的相鄰位置。
4. 使用 方程式 44 計(jì)算峰值間紋波電壓振幅。
   方程式 33. $?{\mathrm{V}}_{\mathrm{I}\mathrm{N}}=\frac{{\mathrm{I}}_{\mathrm{O}\mathrm{U}\mathrm{T}}\times \mathrm{D}\times \left(1-\mathrm{D}\right)}{{\mathrm{C}}_{\mathrm{I}\mathrm{N}}\times {\mathrm{F}}_{\mathrm{S}\mathrm{W}}}+{{\mathrm{R}}_{\mathrm{E}\mathrm{S}\mathrm{R},\mathrm{C}\mathrm{i}\mathrm{n}}\times \mathrm{I}}_{\mathrm{O}\mathrm{U}\mathrm{T}}=\frac{8\mathrm{A}\times 0.1\times \left(1-0.1\right)}{4.2\mathrm{\mu }\mathrm{F}\times 400\mathrm{k}\mathrm{H}\mathrm{z}}+2\mathrm{m}\mathrm{\Omega }\times 8\mathrm{A}=0.44\mathrm{V}$
5. 在 [VIN1, PGND1] 與 [VIN2, PGND2] 之間直接連接 100nF、100V、X7R、0603 規(guī)格的陶瓷電容器，以在開關(guān)轉(zhuǎn)換期間提供高 di/dt 電流。此類電容器在高于 100MHz 條件下提供高自諧振頻率 (SRF) 和低有效阻抗。這樣可以減小電源環(huán)路寄生電感，減少開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓過沖和振鈴。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請參閱節(jié) 8.5.1。