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ZHCSQY9A October 2024 – December 2025 LM65680-Q1

ADVANCE INFORMATION

封裝選項

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RZY|26
- MPQF691D

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

zhcsqy9a_oa

8.1.1.3 輸入電容器

使用輸入電容器來限制降壓功率級中因高 di/dt 開關(guān)電流而產(chǎn)生的輸入紋波電壓。TI 推薦使用采用 X7R 電介質(zhì)的 1210 陶瓷電容器，在寬溫度范圍內(nèi)提供低阻抗和高 RMS 電流承載能力。為了盡可能地減少開關(guān)電源環(huán)路中的寄生電感，應(yīng)將輸入電容器盡量靠近 VIN 和 PGND 引腳對布置。方程式 11 計算了單相降壓穩(wěn)壓器的輸入電容器 RMS 電流。

方程式 11.

I_{C I N (r m s)} = \sqrt{D \times (I_{O U T}^{2} \times (1 - D) + \frac{{Δ I_{L}}^{2}}{12})}

RMS 電流在 D = 0.5 時達到最大值 I_OUT/2。理想情況下，輸入電壓源提供輸入電流的 DC 分量，輸入電容器提供 AC 分量。在忽略電感器紋波電流的情況下，降壓穩(wěn)壓器的輸入電容器會在 D 間隔期間拉出振幅為 (I_OUT ? I_IN) 的電流，并在 1?D 期間灌入振幅為 I_IN 的電流。因此，輸入電容器會傳導(dǎo)峰值間振幅等于輸出電流的方波電流。因此，交流紋波電壓的相應(yīng)容性分量為三角波形。結(jié)合 ESR 相關(guān)的紋波分量，方程式 12 可以計算峰值間紋波電壓振幅。

方程式 12.

{Δ V}_{I N} = \frac{I_{O U T} \times D \times (1 - D)}{F_{S W} \times C_{I N}} + I_{O U T} \times R_{E S R}

根據(jù) ΔV_IN 的輸入電壓紋波規(guī)格，方程式 13 計算出特定負載電流所需的輸入電容。

方程式 13.

C_{I N} \geq \frac{D \times (1 - D) \times I_{O U T}}{F_{S W} \times {(Δ V}_{I N} - R_{E S R} \times I_{O U T})}

LM656x0-Q1 提供了在封裝兩側(cè)對稱放置的 VIN 和 PGND 引腳。這樣可以將輸入電容器分開布置，并相對于集成功率 MOSFET 進行優(yōu)化布置，從而提高輸入旁路的效果。相向電流環(huán)路會產(chǎn)生互抵消磁場，有助于減小傳導(dǎo)和輻射發(fā)射。四個 4.7μF 或 10μF 陶瓷電容器足以滿足大多數(shù)應(yīng)用的要求。此外，必須在每個輸入引腳對 [VIN1/PGND1] 和 [VIN2/PGND2] 上放置封裝尺寸小（0402 或 0603）的陶瓷電容器，以降低高頻下的有效阻抗。

采用具有 180° 異相交錯開關(guān)的雙相穩(wěn)壓器，可實現(xiàn)輸入紋波電流抵消，并降低輸入電容器的電流應(yīng)力。上面的公式展示了一側(cè)相位被禁用而另一側(cè)相位為滿負載時的有效計算。