NESA331 November 2025 DRV8363-Q1
MOSFET 快速切換會(huì)導(dǎo)致快速電壓暫態(tài)，這些暫態(tài)包含高頻成分，會(huì)以 EMI 形式傳遞。所有電路皆有寄生電感和電容，快速激磁這些 L-C 元件會(huì)產(chǎn)生諧振電路，進(jìn)一步放大某些頻率。這些頻率可能會(huì)干擾系統(tǒng)其餘部分。汽車系統(tǒng)有嚴(yán)格 EMI 頻率上限要求，例如 CISPR 25 合規(guī)性，因此限制了終端系統(tǒng)可實(shí)作的電壓轉(zhuǎn)換速率。