MOSFET 傳導(dǎo)損耗發(fā)生於電流從汲極傳導(dǎo)至源極時。MOSFET 傳導(dǎo)時的通道電阻通常稱為傳導(dǎo)電阻或 R_ds(on)。這些損耗與電流平方成正比，因此馬達電流成為決定傳導(dǎo)損耗的主導(dǎo)因素。FOC 換相期間的傳導(dǎo)損耗使用以下公式計算：

範(fàn)例 1

假設(shè)兩個系統(tǒng)總功率均為 960W。

系統(tǒng) A = 12V 電池

系統(tǒng) B = 48V 電池

根據(jù) 方程式 2，若假設(shè) 12V 和 48V 系統(tǒng)所需功率輸出相同，根據(jù)歐姆定律可推斷 48V 系統(tǒng)運作電流減少四倍。因此，流經(jīng) MOSFET 的電流較少，根據(jù) 方程式 1，48V 系統(tǒng)傳導(dǎo)損耗將減少 16 倍。圖 2-1 說明範(fàn)例 1 中顯示的損耗。

圖 2-1 12V 與 48V 傳導(dǎo)損耗