ZHDS079A September 2010 – February 2026 TPS79501-Q1
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VIN | 輸入電壓 | 舊芯片 | 2.7 | 5.5 | V | ||
| 新芯片 | 2.7 | 6.0 | |||||
| IOUT | 持續(xù)輸出電流 | 0 | 500 | mA | |||
| VFB | 內(nèi)部基準(zhǔn) | 1.2 | 1.225 | 1.25 | V | ||
| VOUT | 輸出電壓范圍 | 1.225 | 5.5VDO | V | |||
| VOUT | 輸出精度 | 0 μA ≤ IOUT ≤ 500mA， VOUT(nom) + 1V ≤ VIN ≤ 5.5V (1)（舊芯片） |
0.98VOUT(nom) | 1.02VOUT(nom) | % | ||
| 0 μA ≤ IOUT ≤ 500mA, VOUT(nom) + 1V ≤ VIN ≤ 5.5V (1)（新芯片） |
0.975VOUT(nom) | 1.02VOUT(nom) | |||||
| ΔVOUT/ΔVIN | 線路調(diào)整 | VOUT + 1V ≤ VIN ≤ 5.5V | 0.05 | 0.12 | %/V | ||
| ΔVOUT/ΔIOUT | 負(fù)載調(diào)整 | 0μA ≤ IOUT ≤ 500mA | 3 | mV | |||
| VDO | 壓降電壓 | VIN= VOUT - 0.1V | IOUT = 500mA | 110 | 170 | mV | |
| ICL | 輸出電流限制 | VOUT = 0（舊芯片） | 2.4 | 2.8 | 4.2 | A | |
| ICL | 輸出電流限制 | VIN = VOUT(nom) + 1.25V 或 2.0V（以較大者為準(zhǔn)），VOUT = 0.9x VOUT(nom) （僅限新芯片） | 1.04 | 1.65 | A | ||
| ISC | 短路電流限制 | VOUT = 0（僅限新芯片） | 550 | mA | |||
| IGND | 接地電流 | 0μA ≤ IOUT ≤ 500mA（舊芯片） | 265 | 385 | μA | ||
| IGND | 接地電流 | 0μA ≤ IOUT ≤ 500mA（新芯片） | 500 | 900 | μA | ||
| ISHDN | 關(guān)斷電流 | VEN = 0V，2.7V ≤ VIN ≤ 5.5V | 0.07 | 1 | μA | ||
| IFB | 反饋引腳電流 | VFB = 1.225V | 1 | μA | |||
| PSRR | 電源抑制比 | f = 100Hz，IOUT = 10mA（舊芯片） | 59 | dB | |||
| f = 100Hz，IOUT = 10mA（新芯片） | 64 | ||||||
| f = 100Hz，IOUT = 500mA（舊芯片） | 58 | ||||||
| f = 100Hz，IOUT = 500mA（新芯片） | |||||||
| f = 10kHz，IOUT = 500mA（舊芯片） | 50 | ||||||
| f = 10kHz，IOUT = 500mA（新芯片） | |||||||
| f = 100kHz，IOUT = 500mA（舊芯片） | 39 | ||||||
| f = 100kHz，IOUT = 500mA（新芯片） | |||||||
| Vn | 輸出噪聲電壓 | BW = 100Hz 至 100kHz，IOUT = 500mA | CNR = 0.001μF | 46 | μVRMS | ||
| CNR = 0.0047μF | 41 | ||||||
| CNR = 0.01μF | 35 | ||||||
| CNR = 0.1μF | 33 | ||||||
| BW = 10Hz 至 100kHz，IOUT = 500mA | 新芯片 | 78 | |||||
| tstr | 啟動(dòng)時(shí)間 | RL = 6?，COUT = 1μF | CNR = 0.001μF | 50 | μs | ||
| CNR = 0.0047μF | 75 | ||||||
| CNR = 0.01μF | 110 | ||||||
| 新芯片 | 550 | ||||||
| IEN | 使能引腳電流 | VEN = 0V | -1 | 1 | μA | ||
| RPULLDOWN | 下拉電阻 | VIN = 3.3V（僅限新芯片） | 100 | ? | |||
| VUVLO | UVLO 閾值 | VIN 上升（舊芯片） | 2.25 | 2.65 | V | ||
| VIN 上升（新芯片） | 1.28 | 1.62 | |||||
| VUVLO(HYST) | UVLO 遲滯 | VIN 遲滯（舊芯片） | 100 | mV | |||
| VIN 遲滯（新芯片） | 130 | ||||||
| VEN(HI) | 高電平使能輸入電壓 | 2.7V(1) ≤ VIN ≤ 5.5V（舊芯片） | 1.7 | VIN | V | ||
| 2.7V(1) ≤ VIN ≤ 5.5V（新芯片） | 0.85 | VIN | |||||
| VEN(LOW) | 低電平使能輸入電壓 | 2.7V(1) ≤ VIN ≤ 5.5V（舊芯片） | 0.7 | ||||
| 2.7V(1) ≤ VIN ≤ 5.5V（新芯片） | 0.425 | ||||||