使用 THS3470 進行設計時，設計人員需要考慮來自交流（電容）和直流（電阻）負載的總輸出電流。THS3470 允許的最大直流電流為 1.5A，但許多應用在器件輸出端（電纜、寄生電容、柵極電容等）需要電容負載驅(qū)動，這可能會在大 dv/dt 階躍或大信號正弦波期間產(chǎn)生大交流電流。由于 THS3470 的壓擺率非常高，在某些自舉條件下為 1kV/us，因此需要特別注意將交流峰值電流加上直流電流限制為 2A，如表 7-3 所示。

雖然自舉設計具有一些優(yōu)勢，例如使用 60V 放大器時的輸出范圍為 100V，但要了解這種架構(gòu)，需要考慮一些設計注意事項。該設計的一個主要缺點是，由于電源放大器和信號放大器的單個電源均限制在 3V（無負載），因此每個電源軌的輸出余量限制會倍增至 6V。此外，每個放大器的輸出余量會隨著器件升溫而增加，并從輸出端提供更大的電流。因此，在重負載條件下，120V 電源會損失約 20V 的余量（V_EE 損失 10V，V_CC 損失 10V）。設計人員必須注意圖 5-33以獲取有關余量損失的信息，并估算應用中每個放大器在最壞情況下的結(jié)溫。

驅(qū)動這些重負載時，設計人員必須特別注意器件的最高結(jié)溫 (150C)，并使器件保持在安全工作區(qū)內(nèi)，如節(jié) 7.5.1.2 所示。與單個 120V 放大器相比，自舉設計的一個優(yōu)點是該設計將芯片上的功耗在信號放大器和電源放大器之間分配，如圖 7-6 所示。在同樣的場景下，傳統(tǒng) 120V 放大器通常消耗 30W 的功率，因為一個輸出級晶體管上必須出現(xiàn) 30V 的壓降，而自舉設計會在信號和電源放大器之間分配 30W 的功率。由于 THS3470 封裝能夠以理想的方式拉取 4°C/W，這意味著自舉電路在 25°C 的環(huán)境溫度下可以將總功耗從 30W 增加到 60W。

使用 THS3470 的數(shù)字功能時，信號放大器的 DGND 必須連接到 VEE 引腳而非電路板接地，否則在輸出信號移動時，THS3470 的數(shù)字塊可能會超過器件的電源電壓范圍。同樣，對于 VEE 電源放大器，DGND 范圍只能在由正電源（本設計中為 0V）供電的 7V 電壓下運行。因此，THS3470 的許多數(shù)字引腳（P0、P1、OVTEMP_FLAG、ISNK_FLAG、ISRC_FLAG、ISNK_LIMIT_EN、ISRC_LIMIT_EN）必須相對于 DGND 和 VDD 進行連接，以防止器件損壞。在快速瞬變期間讀取信號放大器標志的狀態(tài)需要電平轉(zhuǎn)換電路（差分放大器），因此設計人員可以在禁用電流限制的電源放大器上使用器件標志，以限制電路的復雜性。

要使用自舉電路設置電流限制，請使用一個電阻器將 ISRC_LIMIT 連接到 V_EE、將 ISNK_LIMIT 連接到 V_CC 以將信號放大器電流限制設置為所需的值，并將電源放大器電流限制保留為最大值 (1.35A DC)。如果電源放大器在信號放大器之前進入電流限制，信號放大器可能會損壞。建議不要在信號放大器上使用 IOUT_MONITOR 引腳，因為 VMID 電壓會隨輸出電壓變化。如果需要對自舉設計進行電流監(jiān)測，則可以在電源放大器上監(jiān)測 IOUT_MONITOR。

圖 7-7 THS3470 自舉 PCB