ZHCSY62A April 2025 – June 2025 SN55LVTA4-SEP
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 參數(shù)測量信息
- 7 詳細(xì)說明
- 8 應(yīng)用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10接收文檔更新通知
- 11支持資源
- 12商標(biāo)
- 13靜電放電警告
- 14術(shù)語表
- 15修訂歷史記錄
- 16機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- D|16
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
8.1.3.1 電源旁路電容
旁路電容器在配電電路中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。具體來說，旁路電容器會在電源和接地之間以特定的頻率（取決于值）建立低阻抗路徑。在低頻率下，穩(wěn)壓器在端子和接地之間提供低阻抗路徑。但是，隨著更高頻率的電流通過電源布線傳輸，該電源通常無法保持低阻抗的接地路徑。旁路電容器便用于解決這一問題。通常，板級大旁路電容器（10μF 至 1000μF）在 kHz 范圍內(nèi)可以很好地工作。由于引線的尺寸和長度，大電容器往往在現(xiàn)代數(shù)字電路的開關(guān)頻率下具有較大的電感值。要解決這個問題，可以使用較小的電容器（nF 至 μF 范圍）并將其安裝在集成電路旁邊。
多層陶瓷芯片或表面貼裝電容器（尺寸 0603 或 0805）可以在高速環(huán)境中盡可能地減小旁路電容器的引線電感，因為它們的引線電感約為 1nH。為進(jìn)行比較，帶引線的典型電容器具有約 5nH 的引線電感。
根據(jù)下面的公式，方程 方程式 1 至 方程式 2，可以通過以下公式確定與 LVDS 芯片一起使用的局部旁路電容器值。200ps 的保守上升時間和 1A 的最壞情況下電源電流變化涵蓋了德州儀器 (TI) 提供的 LVDS 器件的整個范圍。在此示例中，所能承受的最大電源噪聲為 200mV；但是，根據(jù)設(shè)計中可用的噪聲預(yù)算，此數(shù)字會有所不同。
以下示例降低了引線電感，并涵蓋了板級電容器 (>10μF) 與上述電容值 (0.001μF) 之間的中間頻率。最小電容值應(yīng)放置在盡可能靠近芯片的位置。
圖 8-4 建議的 LVDS 旁路電容器布局