ZHCSZ56A July 2025 – November 2025 DP83TC815-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說明
- 7.3.1 IEEE802.1AS 特性
- 7.3.2 TC10 睡眠喚醒
- 7.3.3 PPM 監(jiān)測器
- 7.3.4 時(shí)鐘抖動(dòng)
- 7.3.5 輸出轉(zhuǎn)換控制
- 7.3.6 診斷工具套件
- 7.3.7 BIST 和環(huán)回模式
- 7.3.8 合規(guī)性測試模式
- 7.4 器件功能模式
- 7.5 編程
- 8 寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHA|36
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHA|36
訂購信息
7.3.2.2 用于睡眠應(yīng)用的電源網(wǎng)絡(luò)
DP83TC815-Q1 在 VDD1P0、VSLEEP、VDDA、VDDIO/VDDMAC 的電源時(shí)序控制方面沒有任何限制。VLSEEP 電源斜降完成后，PHY 中的睡眠功能將立即激活。PHY 的核心功能在最后一個(gè)內(nèi)核電源斜降完成后或器件從睡眠狀態(tài)切換到功能狀態(tài)后 10ms 內(nèi)有效，以較晚者為準(zhǔn)。
在睡眠模式下需要最低電流消耗的系統(tǒng)中，可以切斷內(nèi)核電源。在單電源模式下，VDD1P0 會(huì)在 PHY 內(nèi)部切斷，無需外部開關(guān)。
下圖顯示了供電網(wǎng)絡(luò)的一些配置。
圖 7-5 核心電源網(wǎng)絡(luò)
即使電源未切斷，PHY 也不會(huì)發(fā)生故障。但是，PHY 從內(nèi)核電源消耗的電流很高。下表顯示了在電源被切斷和電源完好無損時(shí)，睡眠模式下的電流比較。
| 序號(hào) | 電源 | 單位 | 電流消耗（最大值） | |
|---|---|---|---|---|
| 電源切斷 | 電源完好 | |||
| 1 | VSLEEP | mA | 0.018 | 0.018 |
| 2 | VDDA | mA | 0 | 50 |
| 3 | VDDIO/VDDMAC (3.3V) | mA | 0 | 23 |
| 4 | 總電流 | mA | 0.018 | 73 |
許多電源網(wǎng)絡(luò)在同一 PCB 板上可用的不同 PHY 之間共享 PMIC，以減少元件數(shù)量和電路板面積。
在這種情況下，不同 PHY 的 INH 可以連接在一起，并且該信號(hào)函數(shù)采用“線或”式連接（由于 INH 的開漏配置）。只有在所有 PHY 都處于睡眠模式后，才會(huì)切斷電源。因此，即使一個(gè)或某些 PHY 處于睡眠狀態(tài)，電源也會(huì)產(chǎn)生高電流消耗。在這種情況下，處于睡眠狀態(tài)的 PHY 的功能會(huì)受到影響。為了在上述情況下實(shí)現(xiàn)最低功耗，必須分離兩個(gè) PHY 的 PMIC。
下圖顯示了一個(gè)電源網(wǎng)絡(luò)示例，其中兩個(gè) PHY 共享同一 PMIC。
圖 7-6 具有共享內(nèi)核電源的電源網(wǎng)絡(luò)