ZHCSZ21A October 2025 – December 2025 BQ25690
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
-
6 詳細(xì)說(shuō)明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說(shuō)明
- 6.3.1 器件上電復(fù)位
- 6.3.2 僅電池上電狀態(tài)
- 6.3.3 器件高阻態(tài)狀態(tài)
- 6.3.4 為 REGN LDO 上電
- 6.3.5 默認(rèn) VINDPM 設(shè)置
- 6.3.6 具有 CELL、ICHG 和 VCHG 引腳的默認(rèn)充電曲線設(shè)置
- 6.3.7 降壓/升壓轉(zhuǎn)換器運(yùn)行
- 6.3.8 正向（灌電流）運(yùn)行
- 6.3.9 反向（拉電流）模式 (USB On-The-Go)
- 6.3.10 狀態(tài)輸出（、STAT 和 INT）
- 6.3.11 串行接口
- 6.4 器件功能模式
- 6.5 寄存器映射
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RBA|26
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
7.4.1 布局指南
為了盡可能減少開關(guān)損耗，必須盡可能縮短開關(guān)節(jié)點(diǎn)的上升和下降時(shí)間。為了最大限度減少開關(guān)噪聲耦合、電場(chǎng)和磁場(chǎng)輻射以及高頻諧振問(wèn)題，采用合適的元件布局來(lái)盡可能簡(jiǎn)化高頻電流路徑環(huán)路（如下圖中所示）非常重要。下面是按優(yōu)先順序排列的 PCB 布局列表。
- 通過(guò)使用過(guò)孔，將 SYS 電容器布置在盡可能靠近 SYS 和 GND 引腳的位置上。將 0.1μF 小尺寸電容器和至少一個(gè)大容量電容器比其他電容器更靠近布置。這兩個(gè)電容器的正負(fù)端子必須與 IC 連接在同一層上，不要使用過(guò)孔。
- 將 VIN 電容器布置在盡可能靠近 VIN 和 GND 的位置上。將 0.1μF 小尺寸電容器和至少一個(gè)大容量電容器比其他電容器更靠近布置。這兩個(gè)電容器的正負(fù)端子必須與 IC 連接在同一層上，不要使用過(guò)孔。
- 將一個(gè)電感器端子連接到 SW1，將另一個(gè)端子連接到 SW2，并且盡可能靠近 IC 引腳。規(guī)則 1 和 2 要求 SWx 銅走線布置在 IC 下方，并且在該位置放置連接到電感器的過(guò)孔。確保走線足夠?qū)挘軌虺休d電感器電流，但又足夠小，能夠最大限度減小 EMI。通過(guò)切斷相鄰層上的接地覆銅或平面，最大限度減小這些走布線產(chǎn)生的寄生電容。
- 如有必要，通過(guò)使用過(guò)孔將 REGN 電容器布置在盡可能靠近 REGN 和 GND 引腳的位置上。如有必要，可以使用過(guò)孔將自舉電容器靠近 BTSTx 引腳和 GND 布置。
- 將電池電容器靠近 SRN 和 GND 引腳布置。
- 將 ACP、ACN、SRP、SRN、TS 走線和濾波電容器 GND 遠(yuǎn)離開關(guān)節(jié)點(diǎn)（例如 SW1 和 SW2）布線。
- 將至少 3 個(gè)散熱過(guò)孔直接布置在電源焊盤下方，以便連接到其他層上的覆銅。
- 過(guò)孔尺寸和數(shù)量對(duì)于給定的電流路徑必須是足夠的。
圖 7-22 轉(zhuǎn)換器高頻電流路徑