ZHCSZ21A October 2025 – December 2025 BQ25690
PRODUCTION DATA
X7R 或 X5R 等低 ESR 陶瓷電容器是去耦電容器的首選，必須盡可能靠近轉(zhuǎn)換器的 VIN、SYS 或 SRN 和 GND 引腳布置?？紤]到陶瓷電容器因溫度和施加電壓產(chǎn)生的降額效應(yīng)，所選陶瓷電容器的額定電壓必須高于正常輸入電壓。例如，輸入電壓最高 24V 時，首選額定電壓為 35V 或更高的電容器。如果非陶瓷電容器的 ESR 小于 50mΩ，則可以使用。當(dāng) CVIN_ACN < 4×CVIN_ACP 時，降額后 CVIN_ACP + CVIN_ACP 必須至少為 10μF。對于 1 節(jié) - 2 節(jié)串聯(lián)電池應(yīng)用，CSYS 必須至少為 15μF。對于 3 節(jié) - 7 節(jié)串聯(lián)電池應(yīng)用，降額后 CSYS 必須至少為 8μF。CBAT 是靠近 SRN 和 GND 引腳并與電池包并聯(lián)的大容量電容，降額后必須至少為 5μF。以下各節(jié)介紹了如何根據(jù)所需的穩(wěn)態(tài)電壓紋波調(diào)整降額電容值的大小。對于降壓轉(zhuǎn)換器的輸入和升壓轉(zhuǎn)換器的輸出，電壓紋波最高。在負載瞬態(tài)階躍啟動和釋放時，可能需要額外的電容以分別緩解降壓、升壓或降壓/升壓轉(zhuǎn)換器輸出的電壓驟降和過沖。