該器件使用 CELL、ICHG 和 VCHG 引腳提供獨(dú)立的充電曲線編程。在啟動(dòng)時(shí)讀取這些引腳上的電阻，該值用于確定器件的默認(rèn)充電電壓（CELL 和 VREG 寄存器）以及充電電流（ICHG 寄存器）。一旦器件使用 ILIM_HIZ 引腳退出 HIZ 模式，CELL、ICHG 和 VCHG 引腳值就會(huì)更新，從而允許通過(guò)切換 ILIM_HIZ 引腳來(lái)更新獨(dú)立的充電器設(shè)置。

引腳檢測(cè)狀態(tài)寄存器位 (VCHG_PIN、CELL_PIN、ICHG_PIN) 存儲(chǔ)引腳檢測(cè)的結(jié)果。

ICHG 引腳設(shè)置以 10mΩ 檢測(cè)電阻器為基準(zhǔn)。使用 5mΩ 檢測(cè)電阻可提高效率。使用 R_{BAT_SNS} 寄存器位將檢測(cè)電阻值更改為 5mΩ。將 R_{BAT_SNS} 寄存器位設(shè)置為 1 可調(diào)節(jié)內(nèi)部值，以便在使用 5mΩ 檢測(cè)電阻時(shí)提供相同的編程 ICHG。

CELL 引腳和 VCHG 引腳結(jié)果相結(jié)合，用于對(duì) VREG 寄存器上的充電電壓進(jìn)行編程。例如，如果 CELL 引腳和 VCHG 引腳電阻器都是 13.7kΩ，則產(chǎn)生的 VREG 電壓為：4.2V/節(jié) × 5 節(jié) = 21V。

CELL 引腳還用于對(duì) VSYSMIN 寄存器進(jìn)行編程。對(duì)于 1S 檢測(cè)，VSYSMIN 編程為 3.5V，而所有更高的電池?cái)?shù)都編程為每節(jié) 3.1V?；氐街暗?13.7kΩ 示例，VSYSMIN 得到的值為 15.5V。

CELL 檢測(cè)值存儲(chǔ)在寄存器映射中的 CELL_PIN 處，ICHG 檢測(cè)值存儲(chǔ)在 ICHG_PIN 的寄存器映射中，VCHG 檢測(cè)值存儲(chǔ)在 VCHG_PIN 寄存器的寄存器映射中。檢測(cè)之后，ICHG 和 VREG 寄存器中的值會(huì)更新，檢測(cè)到的值成為上限鉗位。例如，如果 ICHG 引腳電阻器設(shè)置為 1.0A，則會(huì)忽略對(duì) ICHG 寄存器的 I²C 寫(xiě)入請(qǐng)求 >1.0A。要覆蓋鉗位，必須首先將 ICHG_PIN_OVERRIDE 寄存器寫(xiě)入 1，然后 ICHG 寄存器可以使用完整的值范圍。要求與 VREG 類似：要寫(xiě)入比引腳檢測(cè)結(jié)果更高的值，必須向 VCHG_PIN_OVERRIDE 寄存器寫(xiě)入 1，然后才能更新 VREG 寄存器和 VSYSMIN。即使 VCHG_PIN_OVERRIDE=1，VREG 仍根據(jù) CELL_PIN 進(jìn)行鉗制（基于下表）：

要在 POR 后更改 CELL 數(shù)和/或增加充電電壓 (VREG)，建議采用以下序列：

1. 禁用充電 (EN_CHG = 0)
2. 設(shè)置 CELL_PIN_OVERRIDE = 1
3. 將 CELL_PIN 寄存器更改為適當(dāng)?shù)闹?，以?shí)現(xiàn)所需的電池?cái)?shù)
   1. 請(qǐng)注意，VREG 寄存器會(huì)根據(jù) CELL_PIN 選擇自動(dòng)更新
   2. 請(qǐng)注意，SYSMIN 寄存器會(huì)根據(jù) CELL_PIN 選擇自動(dòng)更新
4. 設(shè)置 VCHG_PIN_OVERRIDE = 1
5. 將 VREG 更改為適當(dāng)?shù)闹?ol class="ol" id="OL_E5R_H3K_HCC" type="a">
6. 請(qǐng)注意，在 VCHG_PIN_OVERRIDE=1 時(shí)，VREG 仍根據(jù) CELL_PIN 選擇進(jìn)行鉗制